经常做power的人，大家来讨论下基准吧

guang3000

16# jeff_zx  
另外，在普通CMOS工艺中，都是寄生的三极管，大家有研究过vbe绝对值的偏差吗？
jeff_zx 发表于 2009-12-17 22:20

                               
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我试下估算下
做下面的假设
VREF=1.2V ，VBE=600mV  ，(1+R2/R1)=10 , 则VT*lnn=60mV
        R2/R1的精度是百分之一，会引起 9 * 0.01 * 60mV=53mV的变化,
我曾经猜测过一般斩波的bandgap的是2% ， 论坛上也有人说bipolar工艺轻松达到2%的精度，就当完全没有运放失调的bandgap的偏差是2%好了。
       于是VBE引起的误差是2% - 53mV / 1.2V =1.5% 。 假如电阻的绝对精度变化是20% ,PTAT电流也会变化20% 。这个1.5% 还包括了PTAT电流变化引起的VBE变化。所以。。。。。。。有没有人提供下这个变化的数据？