对比一下这两个Bandgap的优缺点

qerqing · 发表于 2009-11-3 18:57:47

不要沉下去啊

lgy737 · 发表于 2009-11-4 00:47:03

本帖最后由 lgy737 于 2009-11-4 02:06 编辑

25# xixiyan

只要保证 Vds3=Vgs3-Vgs11 > Vgs3-Vthp
M11管是一个level shifter，使得M3的Vds
hoarer 发表于 2009-10-29 20:08

登录/注册后可看大图

1）60楼的式子没错，但是可能达到这个保证吗？如果Ids差不多，N沟道的Vgs比P沟道的小0.1到0.2v，所以Vds3=Vgs3-Vgs11=0.1到0.2v ，如果在这样的电压下非要饱和也可以，Ids3要很小，或者使Ids11远远小于Ids3使Vgs压差增大。如果不想Ids11和Ids3太悬殊，也可以使m11的w/l远远大于m3的w/l。可见25楼xixiyan不但没有错，而且一针见血。
2)M11 level shift 虽然降低了电源电压，但恶化了M3的工作状态，psrr下降，电流镜性能恶化，实在得不偿失

359705716 · 发表于 2009-11-5 12:27:25

haishishoufeile

xiefhaxuhui · 发表于 2011-2-24 16:00:48

好东西

peter_fu · 发表于 2011-2-24 16:12:58

好的主题。

leelke · 发表于 2011-2-24 21:50:17

又没钱了。。

semico_ljj · 发表于 2011-2-24 22:51:55

看过了。。。

haoleba01 · 发表于 2011-2-25 11:16:41

顶一下

judung · 发表于 2011-2-25 11:53:15

Bump! Bump!

metotj · 发表于 2011-2-25 12:07:39

这2个不是一个东西吗？第二个就是把第一个的opa实例化了一下吧

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

对比一下这两个Bandgap的优缺点

浏览过的版块

站长推荐 /1