想请教一下VCO的噪声特性

rainheart

以往的观点认为VCO的噪声特性是高通的，也就是说VCO主导了带外的噪声，但是最近在一些资料上看到片上VCO同时主导了带内和带外噪声特性，为什么会这样呢

meseasky

同不解，你能把原文放出来么？
求教高人

rainheart

从第二张图上可以看到VCO的噪声特性几乎像是低通的

criffs

这个不能一概而论，对于整个PLL loop来说，vco的噪声确实是高通，但是inband noise还是有，看你的loop filter能够虑掉多少inband noise。
你贴的那个图，可以明显看到在低频的时候是reference noise dominate， 然后在靠近bandwidth 的地方vco noise有贡献更大。

rainheart

   

原帖由 criffs 于 2009-3-23 02:03 发表

                               
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这个不能一概而论，对于整个PLL loop来说，vco的噪声确实是高通，但是inband noise还是有，看你的loop filter能够虑掉多少inband noise。
你贴的那个图，可以明显看到在低频的时候是reference noise dominate， 然后 ...

我不明白的是为何ON CHIP VCO 与传统意义上的VCO有这样的区别，另外我也看过别的资料，有的ON CHIP VCO 带内噪声很小，几乎和Sigma
delta Modulator 相似，而本图上黑色（VCO）与蓝色（SDM）虚线在频率funity下差别很大

zwtang

W. Rhee的phase noise分析中未考虑Charge pump的噪声。in-band噪声通常是CP噪声贡献。

请看附件中的相位噪声分析。

[ 本帖最后由 zwtang 于 2009-3-23 17:35 编辑 ]

rainheart

   

原帖由 zwtang 于 2009-3-23 17:33 发表

                               
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W. Rhee的phase noise分析中未考虑Charge pump的噪声。in-band噪声通常是CP噪声贡献。

请看附件中的相位噪声分析。

LS大哥，你的意思是说Rhee的分析中将CP的噪声算在VCO中，所以VCO在带内也表现了很大的噪声？

prof3

Pls look at the two fig. acutally, they are quite similar. The first one only shows up to fz(euqivalent to about 20Khz in the second fig. And that is why VCO PN still "flat"). While the second one tells us much more inband information(You can also see VCO PN also "flat" around 20K~100K. CP PN still small in this range).  LS does not means his VCO PN accounts CP PN.  In the first figure, if you plot more lower frequency band, you will see VCO will never dorminate definitely.

prof3

And judging from Wz<Wugb<Wp, actually, you can aso find that VCO noise around Wz~Wugb range still play critical important. That is why RW said VCO PN also impact on inband. However, usually  (wugb-wz)/wugb is small, therefore VCO PN should not dorminate in many cases.

zwtang

如果CP噪声贡献很小时，in-band就有VCO的噪声贡献。但是，in-band噪声不是平坦的。

附件是另一种情形，CP噪声贡献相对较小。
注：100Hz以内往往是参考时钟的噪声贡献，如果其性能不好的话，in-band也会有贡献。