关于中芯国际0.18um工艺的问题

fuyibin · 发表于 2008-12-17 15:15:18

原帖由 semico_ljj 于 2008-12-16 17:56 发表

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“其中Native device 不需要額外的 Mask”Why？Thanks

native device 不做阈值doping，
所以不用而外mask

youpeiwu · 发表于 2008-12-17 16:28:18

好问题

semico_ljj · 发表于 2008-12-17 17:13:28

原帖由 fuyibin 于 2008-12-17 15:15 发表

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native device 不做阈值doping，
所以不用而外mask

谢谢！我注意到Layout时有Native N 这一层，是不是不产生额外的MASK，这一层是由类似Nwell 、有源区OD、poly这些运算生成的？

fuyibin · 发表于 2008-12-17 18:22:50

原帖由 semico_ljj 于 2008-12-17 17:13 发表

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谢谢！我注意到Layout时有Native N 这一层，是不是不产生额外的MASK，这一层是由类似Nwell 、有源区OD、poly这些运算生成的？

应该是正常的MOS的阈值调整是由 nmos pmos 有源区，Native层决定的
就相当于做阈值调整的mask原来由n/p有源区形成
现在由n/p有源区中去除Native层形成。
所以Native层只是参与了运算，没有增加mask

ipmsn5 · 发表于 2008-12-22 11:29:47

原帖由 semico_ljj 于 2008-12-16 17:56 发表

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“其中Native device 不需要額外的 Mask”Why？Thanks

因为native device是不同mask经过逻辑运算以后出来的，在process上需要多一道工序，但是不用新的mask。

不过这种mos leakage不小。

慎用

semico_ljj · 发表于 2008-12-22 13:17:58

原帖由 ipmsn5 于 2008-12-22 11:29 发表

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因为native device是不同mask经过逻辑运算以后出来的，在process上需要多一道工序，但是不用新的mask。

不过这种mos leakage不小。

慎用

请问：native NMOS 的Vth很低，接近于0V，那么使用在那些场合？它的优势在哪？谢谢

woaijoyce · 发表于 2009-7-11 22:33:39

sub-micro 做電容，因為他的vth接近0，所以電容是穩定的，比如一般的mos管做電容，當vgs少于vth時候，電容值就變了。

jdzang2 · 发表于 2009-7-12 00:31:43

挺高深！

semico_ljj · 发表于 2009-7-13 09:53:00

原帖由 woaijoyce 于 2009-7-11 22:33 发表

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sub-micro 做電容，因為他的vth接近0，所以電容是穩定的，比如一般的mos管做電容，當vgs少于vth時候，電容值就變了。

除了用作Cap，我还见到用在开关上了，不知道怎么实现的

vdslafe · 发表于 2009-7-13 11:04:29

原帖由 semico_ljj 于 2009-7-13 09:53 发表

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除了用作Cap，我还见到用在开关上了，不知道怎么实现的

Vth接近0，关闭得时候电阻很小。只是要注意off 得时候得leakage。
我还用他做source follower 得input device, 也是利用Vt=0

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