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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 关于中芯国际0.18um工艺的问题
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楼主: raylee

关于中芯国际0.18um工艺的问题

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xinming200
发表于 2011-5-5 11:03:40 | 显示全部楼层
学习版图下东西要分呀
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maybeno
发表于 2011-6-26 09:35:11 | 显示全部楼层
学习了~~~~~
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taokan
发表于 2014-4-22 16:16:51 | 显示全部楼层
学习了
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taokan
发表于 2014-4-22 16:19:06 | 显示全部楼层
学习了谢谢
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cdcasanova
发表于 2014-5-17 22:58:47 | 显示全部楼层
study it again
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yeshengseu
发表于 2014-5-23 22:07:05 | 显示全部楼层
很好的技术贴 native nmos用作电容和我们通常说的NMOS做在Nwell中 有的又叫AMOS 当做电容貌似类似。。。。
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tilin
发表于 2014-12-2 10:24:15 | 显示全部楼层
native nmos和tsmc的zvt管有什么不同？
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vincentlu
发表于 2014-12-3 09:22:54 | 显示全部楼层
native做电容用的吧
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gdcl
发表于 2015-11-25 15:59:43 | 显示全部楼层
xuexiel
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蓝一
发表于 2015-12-19 09:41:24 | 显示全部楼层
回复 1# raylee


好问题，谢谢楼主分享
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