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楼主: raylee

关于中芯国际0.18um工艺的问题

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发表于 2015-12-19 10:49:44 | 显示全部楼层
是啊,看着你们聊天,我觉得我就学到很多东西
发表于 2016-4-6 11:05:08 | 显示全部楼层
发表于 2017-5-3 10:28:49 | 显示全部楼层
好帖子,继续讨论。我比较关注高压工艺
发表于 2017-8-1 21:29:57 | 显示全部楼层
don't know.
发表于 2018-3-21 09:56:00 | 显示全部楼层
回复 22# 海之子306916


  您好,请问可不可以不让NMOS的背栅BG接地,接一个固定电平,来调整NMOS的阈值电压?这样和会不会增加工艺流程,这和使用medium NMOS有什么区别?
发表于 2018-11-19 15:20:29 | 显示全部楼层
应该可以吧
发表于 2023-10-16 18:30:41 | 显示全部楼层
好帖,感谢!
发表于 2023-10-17 09:32:11 | 显示全部楼层
Native device 不需要額外的 Mask, 而 Medium device 則需要額外的 Mask.?
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