标准单元这样画法可以吗

zhanggd

各位大大，我们的项目是一个低功耗的库设计，其中有一个单元（NAND3X1）我为了省面积是这样画的，这样画之后在跟其他单元进行拼接的时候也没有错误，但是不知道这样画可否？



估计没有讲清楚，现在重新编译一下帖子，下面是正常的INVX1的图片，就是说正常的没有SN、SP、NWell 的弯曲之类的

夏雨123

厉害了。

lightpisces

DRC可以过就行，不过由于具体使用的时候，是单元相互拼接的，所以要跑一个special的drc确保没violation

pennyxm

thank you very much!

zhanggd

回复 17# papertiger


   这样画可以就好，谢谢了

papertiger

我以前做过库，这样是没问题的。
而且就算7tracks的库，比如bufx16 什么的，SP，SN，NW 也是会中间弯曲的。

我奇怪的是NNAND标准是三管串联，你居然分开了。感觉上这个NAND3X1 面积还可以减少20% 啥的。
明显非正规做库出身的啊。

icfbicfb

drc，latch-up过了就行啊，没啥不行的

zhanggd

回复 11# leonling933

谢谢，明白了，因为接触的比较少，这样画的没怎么接触过。

zhanggd

回复 13# kopzinc


   foundry会提供tap cell的距离，在满足距离的情况下，应该是没有问题的，但是肯定没有每个单元都带体接触的性能好，IC设计就是这样，总要有取舍的，这是我的理解，欢迎指正

kopzinc

回复 7# zhanggd


    哈哈,我没做过低功耗的单元库，也不是很懂！以上只不过都是我的疑惑而已。其实你即使为了面积考量，也可以在上下方的电源地加接触啊，长条型的不影响面积。我只是疑惑没有体电位，它的噪声性能会不会变差，这点想和你交流下--- 至于sp sn 阱的弯曲，以我自己的经验是可以的，至少对于后端流程没有影响。不影响使用，只要注意1/2规则拼接就好。