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[讨论] 同样一个NPN,在作为ESD保护电路时,下面哪种连接方式电流能力强?

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发表于 2016-2-19 09:19:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教各位大拿一个问题,同样一个NPN,在作为ESD保护电路时,下面哪种连接方式电流能力强?还有就是发射极作为PAD时,ESD工作原理是怎样的,TLP曲线会不会有“骤回区”?谢谢~希望有大拿能回复一下~十分感谢!

相同NPN但不同连接的ESD电路

相同NPN但不同连接的ESD电路
ESD , npn
发表于 2016-2-19 17:36:48 | 显示全部楼层
snapback肯定会有的
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发表于 2016-3-15 15:03:28 | 显示全部楼层
其实就是反向diode,第一种breakdown电压低,泻放电流大(正电)
第二种breakdown电压高,泻放电流电流小(正电)
对负电,两者差不多
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 楼主| 发表于 2018-8-13 00:03:47 | 显示全部楼层
回复 3# 897510287


   3Q
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发表于 2018-9-9 17:28:42 | 显示全部楼层
一般vbe的反向击穿都很低,所以我看到的第二种多。
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发表于 2019-6-3 20:17:10 | 显示全部楼层
,电流能力主要与芯片面积有关,在芯片面积一定的前提下,Ppp=VCC*IPP,而VCC又等于击穿电压加上IPP*R(体电阻),我对3楼的加入一些个人理解,欢迎指正讨论
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发表于 2019-6-10 18:32:37 | 显示全部楼层
要注意接法是否會影響到operation唷.
這兩種接法會影響Vt1.
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