同样一个NPN，在作为ESD保护电路时，下面哪种连接方式电流能力强？

jiejie318 · 发表于 2016-2-19 09:19:29

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请教各位大拿一个问题，同样一个NPN，在作为ESD保护电路时，下面哪种连接方式电流能力强？还有就是发射极作为PAD时，ESD工作原理是怎样的，TLP曲线会不会有“骤回区”？谢谢~希望有大拿能回复一下~十分感谢！

相同NPN但不同连接的ESD电路

qinyuwenzhu · 发表于 2016-2-19 17:36:48

snapback肯定会有的

897510287 · 发表于 2016-3-15 15:03:28

其实就是反向diode,第一种breakdown电压低,泻放电流大(正电)
第二种breakdown电压高,泻放电流电流小(正电)
对负电,两者差不多

jiejie318 · 发表于 2018-8-13 00:03:47

回复 3# 897510287

3Q

gaojun927 · 发表于 2018-9-9 17:28:42

一般vbe的反向击穿都很低，所以我看到的第二种多。

Kevin_WWZhang · 发表于 2019-6-3 20:17:10

，电流能力主要与芯片面积有关，在芯片面积一定的前提下，Ppp=VCC*IPP，而VCC又等于击穿电压加上IPP*R（体电阻），我对3楼的加入一些个人理解，欢迎指正讨论

zx00173 · 发表于 2019-6-10 18:32:37

要注意接法是否會影響到operation唷.
這兩種接法會影響Vt1.

翔子zkx · 发表于 2020-3-30 19:45:23

第一张主要是NPN的EB击穿，第二张主要是CB击穿，他们的Wb其实是一样的，这个时候看电流能力主要是发射区的面积及浓度，集电极浓度是远小于发射极的，所以第二张图片的电流能力强。

xlteam2 · 发表于 2020-4-2 14:34:39

VERY GOOD

twfly · 发表于 2020-6-7 15:25:26

学习学习了，谢谢楼主提的问题

[讨论] 同样一个NPN，在作为ESD保护电路时，下面哪种连接方式电流能力强？