在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2721|回复: 3

[原创] 利用TCAD能流片吗

[复制链接]
发表于 2015-1-14 10:28:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
请问用TCAD Sentaurus自己设计的器件如何流片呢?
发表于 2015-1-14 12:56:33 | 显示全部楼层
不可能吧 TCAD模拟一般都是利用工艺PDK校准MOS管模型
Foundry不可能根据你的器件,去改变它的掺杂啥的
 楼主| 发表于 2015-1-28 22:15:45 | 显示全部楼层
嗯,反正是很困难的,谢啦!
发表于 2015-3-1 07:29:27 | 显示全部楼层
本帖最后由 peterlin2010 于 2015-3-1 07:48 编辑

回复 3# 未若之52
到底TCAD sim 和 process 差异多少?
如果开发 new device 是否可使用 Tcad ..再请FAB 调parameter ?
如果TCAD 是先须要PDK 那不就是只能使用现有process 小小调整?


Foundry不可能根据你的器件,去改变它的掺杂啥的
=>但是有听说如一些MEM 类可以调



http://bbs.eetop.cn/thread-476913-1-1.html
那这书不是教如何使用TCAD

1.jpg
如果开发一个 MOS 要如何设计

Silvaco器件仿真  

http://wenku.baidu.com/view/fef706b2c1c708a1284a44f3.html

Silvaco TCAD基CMOS器件仿真
http://wenku.baidu.com/view/9ecb3e6e76c66137ee06199c.html?re=view

ESD与TCAD仿真报告人:浙大微电子崔强

半导体工艺和器件仿真软件Silvaco TCAD实用教程
 作者:唐龙谷
谁能把上面这些贴上来

thank you
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-25 20:10 , Processed in 0.018599 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表