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查看: 2708|回复: 3

[原创] 利用TCAD能流片吗

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发表于 2015-1-14 10:28:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问用TCAD Sentaurus自己设计的器件如何流片呢?
发表于 2015-1-14 12:56:33 | 显示全部楼层
不可能吧 TCAD模拟一般都是利用工艺PDK校准MOS管模型
Foundry不可能根据你的器件,去改变它的掺杂啥的
 楼主| 发表于 2015-1-28 22:15:45 | 显示全部楼层
嗯,反正是很困难的,谢啦!
发表于 2015-3-1 07:29:27 | 显示全部楼层
本帖最后由 peterlin2010 于 2015-3-1 07:48 编辑

回复 3# 未若之52
到底TCAD sim 和 process 差异多少?
如果开发 new device 是否可使用 Tcad ..再请FAB 调parameter ?
如果TCAD 是先须要PDK 那不就是只能使用现有process 小小调整?


Foundry不可能根据你的器件,去改变它的掺杂啥的
=>但是有听说如一些MEM 类可以调



http://bbs.eetop.cn/thread-476913-1-1.html
那这书不是教如何使用TCAD

1.jpg
如果开发一个 MOS 要如何设计

Silvaco器件仿真  

http://wenku.baidu.com/view/fef706b2c1c708a1284a44f3.html

Silvaco TCAD基CMOS器件仿真
http://wenku.baidu.com/view/9ecb3e6e76c66137ee06199c.html?re=view

ESD与TCAD仿真报告人:浙大微电子崔强

半导体工艺和器件仿真软件Silvaco TCAD实用教程
 作者:唐龙谷
谁能把上面这些贴上来

thank you
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