MOS工作在弱反型区的优缺点是什么？

fumes · 发表于 2014-6-26 14:00:06

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有些情况会故意工作在弱反型区，为什么？

csslyou · 发表于 2014-6-26 14:49:20

有些电路对功耗比较苛刻，因此让MOS管工作在弱反型区得到较低的电流，同时也可以得到较高的跨导。缺点就是弱反型区的速度比较慢，使得电路工作频率不可能很高。折中的关系！现在一些基准电压电路也通过MOS管工作在弱反型区得到正温度特性的热电压VT。

sea11038 · 发表于 2014-6-26 14:51:58

拉扎维教材有讲亚阈值工作的器件，Allen教材有讲微功耗运放的，你可以看看

onepieceligen · 发表于 2014-6-26 14:52:24

low power design by making the MOS more like a "BJT". The potential panelties includes feature freq, reliability, and maybe time-to-market due to special cares on sub biasing issues.

fumes · 发表于 2014-6-26 15:28:22

回复 4# onepieceligen

对NMOS来说，就是一个NPN管是不? 但是衬底是接最低电位的，这样的NPN管是截止的，或者说发射结零偏，怎么当NPN管来用呢？

onepieceligen · 发表于 2014-6-26 23:43:32

回复 5# fumes

跳出简单的教科书第二章式的模型，回忆你本科学过的半导体物理。当栅压降低到一定程度之后，沟道和耗尽层就不能用强反型时的模型来近似了，说的直白一点，当强反型的时候，沟道流过的电流全部是漂移电流，但是在亚阈值区，电流会慢慢以扩散电流为主，从这个角度来说表现出了BJT似的exp-law 而不是MOS在强反型的square-law。这也是为啥说亚阈值区省电，因为他的电流效率高，e^x 永远比 x^n 高阶，更不要说n=1~3的MOSFET了。这个n不是亚阈值参数那个n，别搞混了。建议LZ多去看看物理的书吧，我觉得微电子人挣不到钱就是因为抛弃自己的根本--物理，虽然短期看来可能没有用。。。但是往前几十年的ICer，很多都是物理出身

semico_ljj · 发表于 2014-6-26 23:48:47

回复 6# onepieceligen

做模拟设计器件物理确实需要

onepieceligen · 发表于 2014-6-26 23:55:05

http://blog.sciencenet.cn/blog-550717-464721.html 孟教授的博客好东西分享给LZ

angelaboy · 发表于 2014-7-12 08:54:51

狐狸读书真是有趣就像玩毛毛虫。

何大爷 · 发表于 2014-7-12 10:17:23

gm/Id 最大 efficiency好

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