关于MOS管的体效应

尹风 · 发表于 2014-1-29 09:49:19

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请教大家一个问题：如何用直观的方法来看MOS 管的体效应？

semico_ljj · 发表于 2014-1-29 16:34:50

MOS管是双栅器件 G是一个，另一个就是衬底。
只不过对于开启电压作用相反

尹风 · 发表于 2014-1-29 18:55:47

回复 2# semico_ljj

说的很有道理，以前都没有这样想到过。
考虑体效应的话，二极管连接的MOS管从源端看入的阻抗反而减小，如何用直观的方法来解释这种现象？

谢谢之前的回答，很有启发性，希望能再帮我解决这个问题。

shanzhongyiliu · 发表于 2014-1-30 09:49:33

用公式吧，不管是小信号还是大信号阻抗都可以明显的看出来，不要让别人讲解了！做模拟电路的，要熟悉公式，其他的一切好解决！

尹风 · 发表于 2014-1-30 18:56:50

回复 4# shanzhongyiliu

单纯用公式的话，肯定是能出来，但达不到直观的效果。。。

ygchen2 · 发表于 2014-1-30 22:47:21

回复 semico_ljj

说的很有道理，以前都没有这样想到过。
考虑体效应的话，二极管连接的MOS ...
尹风发表于 2014-1-29 18:55

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"考虑体效应的话，二极管连接的MOS管从源端看入的阻抗反而减小", 谁说一定减小？体效应只是描述体电位变化对器件的影响，适当利用体效应，既可以是器件导通更好，也可以使器件关短更好。

尹风 · 发表于 2014-1-30 23:26:15

回复 6# ygchen2

这个，之前我没说清楚，是拉扎维书上第三章二极管连接共源级的一个小思考，现在再看书看到的一些问题，万分感激大家的帮忙。。。

uopuwe · 发表于 2014-2-1 20:30:10

substrate相当于另一个gate，存在体效应的二极管连接MOS管有两个压控电流源共同作用，两个电流源并联，电流相加，体现在跨导也是相加，阻抗是跨导的倒数，于是阻抗减小。

尹风 · 发表于 2014-2-1 21:20:51

回复 8# uopuwe

终于看懂。。。太谢谢帮忙了！

iamshan · 发表于 2014-2-6 00:52:44

回复 1# 尹风

当bulk加电压后，使沟道耗尽区变宽，于是反型区载流子减少，ID减小。 Vt增大，要想得到同样的ID，则必须要增大VG。

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