阈值电压与体效应问题

hichip_fire · 发表于 2015-9-16 21:15:56

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各位大神：
         本人在学习拉扎维的书，
         书中写明，就NMOS来说，其衬底电压负的越厉害，阈值电压越大。书中P20，P21有详细说明。WHY？
         我是这样理解的，NMOS要导通，无非就是让沟道聚集足够多的电子，栅极正电压不正是把电子吸引过去，才导致沟道导通么？
         然衬底加负电压显然是有助于电子在沟道聚集的，因为负电压会把电子挤到上面的沟道去。
         我尝试在网上找答案，但是我并不满意，解释的很粗糙，就是说衬底电压变小会导致耗尽区变宽，然后阈值电压变大。
         求大神解惑！

JohnHilo · 发表于 2015-9-16 23:45:25

Vsb会把反型层中的电子吸引到源极，因此需要更大的Vgs保持原先的反型电子数目

CMOS永日 · 发表于 2015-9-17 10:48:48

回复 1# hichip_fire

沟道是靠反型层形成的，什么是反型层？就是一层电子组成的导电沟道。在形成反型层之前，先形成的是耗尽层，对于NMOS来说是P衬底，P型里的多子是空穴，意味着电子比较少，形成耗尽层时，靠近栅极端的空穴要先被电子填满，填满后就成为一个个负电荷，所以当衬底加负电压时，电子被驱赶到上方，形成耗尽层，负电压越负，耗尽层越宽，而反型层是靠栅极端的正电压把衬底中的电子吸上去，由于负电荷的排斥，所以需要加大栅极电压，这样阈值电压就增大了。建议再仔细看看书。