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[求助] 阈值电压与体效应问题

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发表于 2015-9-16 21:15:56 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大神:
             本人在学习拉扎维的书,
             书中写明,就NMOS来说,其衬底电压负的越厉害,阈值电压越大。书中P20,P21有详细说明。WHY?
             我是这样理解的,NMOS要导通,无非就是让沟道聚集足够多的电子,栅极正电压不正是把电子吸引过去,才导致沟道导通么?
            然衬底加负电压显然是有助于电子在沟道聚集的,因为负电压会把电子挤到上面的沟道去。
            我尝试在网上找答案,但是我并不满意,解释的很粗糙,就是说衬底电压变小会导致耗尽区变宽,然后阈值电压变大。
            求大神解惑!
发表于 2015-9-16 23:45:25 | 显示全部楼层
Vsb会把反型层中的电子吸引到源极,因此需要更大的Vgs保持原先的反型电子数目
发表于 2015-9-17 10:48:48 | 显示全部楼层
回复 1# hichip_fire


   沟道是靠反型层形成的,什么是反型层?就是一层电子组成的导电沟道。在形成反型层之前,先形成的是耗尽层,对于NMOS来说是P衬底,P型里的多子是空穴,意味着电子比较少,形成耗尽层时,靠近栅极端的空穴要先被电子填满,填满后就成为一个个负电荷,所以当衬底加负电压时,电子被驱赶到上方,形成耗尽层,负电压越负,耗尽层越宽,而反型层是靠栅极端的正电压把衬底中的电子吸上去,由于负电荷的排斥,所以需要加大栅极电压,这样阈值电压就增大了。  建议再仔细看看书。
 楼主| 发表于 2015-9-18 16:48:13 | 显示全部楼层
回复 2# JohnHilo


   把电子都吸引到源极了?不是更容易吸引到漏极么?那样正好,电流就起来了。  再说,衬底不加负压,而栅极加正压时聚集在沟道里面的电子(负电势)难道不容易不吸引到源极(接地)去么?
 楼主| 发表于 2015-9-18 16:54:42 | 显示全部楼层
回复 3# CMOS永日


   那我们这样思考一下,栅极电压从耗尽区中抠出电子难度跟直接从P型衬底抠出电子的难度相比?谁更大?   耗尽区本来就是反型层跟P型衬底之间过渡的一种状态啊!
发表于 2015-9-19 09:47:30 | 显示全部楼层
回复 4# hichip_fire

vsb会有源到衬底的电流啊,不过不影响sd之间电流!(和漏都没什么关系)
衬底接地,s b 相同电流,哪来的电子移动
发表于 2015-9-19 09:52:16 | 显示全部楼层
回复 3# CMOS永日

照这样理解,岂不是阈值电压变小了....
发表于 2015-9-19 17:17:56 | 显示全部楼层
回复 5# hichip_fire


   耗尽区的电子都被固定住了,怎么可能吸出来。。耗尽区只是加宽了,所以把电子吸上来更困难,所以阈值电压要更大
发表于 2015-9-20 08:26:39 | 显示全部楼层
就像拔河一样,一个往左拽,另一个硬要往右
发表于 2015-9-20 15:21:04 | 显示全部楼层


这个答案可能更实际些,解释耗尽区加宽带来的影响
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