阈值电压与宽长比的关系

zgln1234 · 发表于 2013-12-5 10:45:07

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众所周知，阈值电压随衬偏、温度、corner等有所变化，但是随管子的宽长比会有怎样的变化那？最近碰到一个工艺，阈值电压随宽长比变化很剧烈。就以一个简单的电流镜为例：

图1

当然当M1、M2宽长比相同时，阈值电压相同；但当M1管子宽长比为6u/2u m=1;M2管子宽长比3u/2u m=2；仿真发现M1的vth为752mv，M2的vth为790mv，同样修改M2的宽长比为3u/1u M=1，效果一样，请大牛给点解释。

nool · 发表于 2013-12-5 11:48:06

两个管子的vds调到相等看看

zgln1234 · 发表于 2013-12-5 15:53:52

回复 2# nool

VDS是调到相等的，这个是通过lis文件看到的阈值电压，所以应该不是沟道调制效应造成的。从今天的测试来看，W、L越小，阈值电压就会越大，上午看到一个帖子里面是说W、L越大，阈值越接近准确值，但是具体原因还是不明确

semico_ljj · 发表于 2013-12-5 16:21:46

什么工艺？照理没有这么大的偏差

lwjee · 发表于 2013-12-5 17:10:06

阈值卷曲

dtt0000 · 发表于 2013-12-5 17:38:09

差别太大了点吧

chenxiaoming · 发表于 2013-12-5 20:03:48

应该没这么大的差别

ygchen2 · 发表于 2013-12-6 02:04:48

回复 3# zgln1234

此工艺看起来好象管子之间是用locos隔离而不是STI，是哪家的工艺呀？

jiangyanjin · 发表于 2013-12-6 10:25:20

在一定程度上，W越小，阀值越大；L越小，阀值越小。
如果W，L大到一定程度，阀值就不怎么随W，L变了。

zhongbo1127 · 发表于 2013-12-6 22:42:26

HL？工艺？

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