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楼主: 尹风

[原创] 关于MOS管的体效应

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发表于 2016-1-7 10:21:04 | 显示全部楼层
回复 3# 尹风


   看着你们的讨论,我都觉得进步挺大的
发表于 2016-1-7 10:23:20 | 显示全部楼层
谢谢你们的讨论,谢谢
发表于 2016-1-7 10:24:29 | 显示全部楼层
恩,看着都觉得进步挺大的
发表于 2017-2-21 09:33:30 | 显示全部楼层
学习~
发表于 2017-2-21 09:57:17 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2017-7-10 09:44:13 | 显示全部楼层
谢谢指导了
发表于 2020-8-7 10:29:01 | 显示全部楼层


uopuwe 发表于 2014-2-1 20:30
substrate相当于另一个gate,存在体效应的二极管连接MOS管有两个压控电流源共同作用,两个电流源并联,电流 ...


受教了
发表于 2022-6-2 18:47:30 | 显示全部楼层


uopuwe 发表于 2014-2-1 20:30
substrate相当于另一个gate,存在体效应的二极管连接MOS管有两个压控电流源共同作用,两个电流源并联,电流 ...


学到了,谢谢!
发表于 2022-6-4 10:27:19 | 显示全部楼层
虽然隔了好多年了,但是我发现拉扎维在后面有做出解释,参考译版66页源跟随器的输出阻抗计算
发表于 2022-7-27 00:02:03 | 显示全部楼层


uopuwe 发表于 2014-2-1 20:30
substrate相当于另一个gate,存在体效应的二极管连接MOS管有两个压控电流源共同作用,两个电流源并联,电流 ...


我有个问题,拉扎维模拟集成第二版第49页,中文版,下方提出的是一般看做电阻并联,但是在考虑体效应的时候变成了1/(gm+gmb),我想着电流源并联和电阻并联又不一样,书里怎么会提出这个问题,就很怪,不太理解
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