关于MOS管的体效应

平凡世界 · 发表于 2014-3-17 22:11:35

回复 9# 尹风

怎么直观解释？还没看懂，求教

侯门似海 · 发表于 2014-3-18 00:09:12

xuexiliao

guilio · 发表于 2014-3-18 02:51:36

回复尹风

当bulk加电压后，使沟道耗尽区变宽，于是反型区载流子减少，ID减小。 Vt增大，要想得 ...
iamshan 发表于 2014-2-6 00:52

登录/注册后可看大图

Very Interesting...

zixi_2012 · 发表于 2014-3-18 16:28:39

xuexile

guardian_qq · 发表于 2014-3-18 19:16:48

可以把衬底+源漏理解成单边JFET

Conffge · 发表于 2014-9-23 22:38:11

回复 8# uopuwe

很棒的解释。好希望有一天自己也如此通透

zaelste · 发表于 2014-9-24 06:40:17

可以这么理解，nmos的源极和substrate是一个 pn 结，当substrate 加负电压，相当于pn结反偏，电子都在耗尽区，不能向gate下面的沟道移动，所以gate一定要加大电压把电子抢回来。加正电压，pn 正偏，有更多的电子提供给沟道，所以gate电压可以减小。

sky2city · 发表于 2014-9-24 11:26:55

???????????

tf001 · 发表于 2014-9-24 22:22:03

学习了

生为鸿妍 · 发表于 2015-10-7 09:59:34

回复 17# zaelste

大神啊，学习了~

[原创] 关于MOS管的体效应