求教一个关于阈值电压随温度变化的模型问题

l241025097 · 发表于 2012-8-6 21:05:14

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本帖最后由 l241025097 于 2012-8-6 21:09 编辑

根据Razavi的书，由器件上的理论推导得出来的阈值电压表达式为：

经典的阈值电压公式

（1）
而在《MOSFET MODELING & BSIM3 USER’S GUIDE》这本书中，给出了一个用温度描述阈值电压的模型：
陈.jpg

（2）
利用（2）和我们手里工艺库的参数，即可用spice对阈值电压进行温度分析的仿真。
对于L的温度系数KtL，通常都很小，一般都忽略掉，根据 I. M. Filanovsky 和 Ahmed Allam 的《Mutual Compensation of Mobility and Threshold Voltage Temperature Effects with Applications in CMOS Circuits》这篇文章，当没有体效应时，（1）中VTH0对温度T求导得到的阈值电压温度系数，即为（2）中的Kt1。从而VTH0可以写成一个与温度成线性关系的表达式。我把这个结论当做对（2）在VBS=0时的解释。
但是，当考虑到存在体效应时，（2）中的Kt2*VBS从何而来？是单纯的对（1）中与体效应相关的那部分求导吗？就算是通过求导，也得有数据来总结和说明为什么是Kt2*VBS吧。我现在在此求助，望哪位大牛能说明（2）的来源或者给出出处。
《MOSFET MODELING & BSIM3 USER’S GUIDE》中提到（2）时给出的参考文献：《BSIM3 Manual (Version 2.0)》和《BSIM3 version 3.1 User’s Manual》都只是提到，也没有详细说明。而《Modeling temperature effects of quarter micrometer MOSFETs in BSIM3v3 for circuit simulation》这篇文章，我们学校的资源有限，下不到，谁能给我传一个我也感激不尽~~
我相信对这个问题的讨论并理解是能帮助大家一起提高的。

l241025097 · 发表于 2012-8-6 21:12:17

谢谢有人能耐心看完~希望感兴趣的人能给我解答~

l241025097 · 发表于 2012-8-6 22:47:34

我顶~

l241025097 · 发表于 2012-8-7 15:37:58

我顶~

l241025097 · 发表于 2012-8-13 09:45:30

我顶~

gaojun927 · 发表于 2012-8-13 13:52:32

回复 5# l241025097

我理解就是线性近似，背后没什么物理实质。

l241025097 · 发表于 2012-8-15 13:44:52

回复 6# gaojun927
并不是寻求物理意义~我是不确定

能近似为

~如果能~请给出解释~

gaojun927 · 发表于 2012-8-15 22:04:00

Vth是t的函数，所以可以写成k*t的形式，其中k是线性系数，如果仔细写出来就是k=dvth/dt,这又是一个函数，里面变量有vbs，然后再对k线性展开。

YJVFHPMTD · 发表于 2013-7-26 14:56:44

abbr_e0ce9a6176d5517f5a721a064617cd4c.pdf (281.97 KB, 下载次数: 192 )

chenxiaoming · 发表于 2013-7-27 20:27:10

楼上传的什么dd 介绍一下

[求助] 求教一个关于阈值电压随温度变化的模型问题

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