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查看: 3492|回复: 9

[求助] 同样的结构为什么65nm的放大器增益下降这么多

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发表于 2015-12-21 16:32:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 张笑笑之家 于 2015-12-21 16:33 编辑


用的是同样的结构,如图所示,在0.18um,tsmc,3.3v供电时增益可以达到62dB,然而在65nm,tsmc,2.5v供电时,增益却只有42dB。而且我试了其他几种结构,发现同样的结构在65nm,2.5v下增益都很低。。。这是怎么回事?求指教。。
捕获.PNG
发表于 2015-12-21 18:00:55 | 显示全部楼层
尺寸一样吗?不考虑其它的,仅仅是电源电压下降,也会导致电源电压下降,因为1/gds会随Vds增大而增大。eetop应该再为新注册用户分出一个区的,我的帖子沉的太快。
 楼主| 发表于 2015-12-22 08:09:22 | 显示全部楼层
回复 2# nanke


   尺寸w有些改变,L没变(最小尺寸),仿了一下单管,在同样的电流下,他们的gm差不多大小。
发表于 2015-12-22 09:48:29 | 显示全部楼层
回复 3# 张笑笑之家


    试试对比两种工艺下管子的rds是否有较大的区别, 增益通常由gm和rds决定, 如果gm变化不大, 可能是管子的rds有较大区别.
发表于 2015-12-22 15:28:03 | 显示全部楼层
回复 3# 张笑笑之家


    如果L都是最小尺寸,那么rds变化会比较大。
发表于 2015-12-22 17:54:22 | 显示全部楼层
回复 5# hszgl


   是因为lamda变了吗?
发表于 2015-12-22 18:05:27 | 显示全部楼层
首先看看各个管子的工作状态,然后确定不同工艺,管子的输出电阻是否有很大的变化。
发表于 2015-12-22 21:30:57 | 显示全部楼层
回复 6# hfwangxf

这是很显然的。
发表于 2015-12-23 08:28:05 | 显示全部楼层
深亚微米的本征增益本事就要小
 楼主| 发表于 2015-12-24 08:16:04 | 显示全部楼层
回复 1# 张笑笑之家


   谢谢大家,我把沟道长度从280nm改为1um以后,增益达到了84dB,增加了40多dB,我觉得可能是沟道长度系数的影响导致输出电阻太小了,所以增益很低。
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