请教在在设计BandGap时遇到温度系数一直偏大的问题

最菜的 · 发表于 2016-9-22 09:19:37

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根据此电路可以得到VREF=Iptat*R0+VBE，Q4，电路是在1.8V电压源下工作，我在仿真时根据仿真得到的Iptat曲线，计算出它的表达式，并根据仿真得到的VBE，Q4曲线，大致得到VBE跟温度变化的关系，然后通过两个曲线的关系式，得到最好的温度系数时所对应的R0的值，但是在用理想电阻时温度系数也只有30ppm左右，我看到很多论文上都做到了10ppm左右，甚至更小，而且我在把电阻换成工艺库下的电阻后仿真，得到的温度系数更差了。上升到48ppm了，求问各路大神，现在在这个结构下还该怎么改进或者调试？

zcg0697 · 发表于 2016-9-22 15:43:17

先发个输出电压对温度曲线来看看

最菜的 · 发表于 2016-9-22 19:14:14

回复 2# zcg0697

QQ截图20160922191530.png

输出电压曲线就是这样，我想得到比较小的温度系数，但感觉现在已经是穷途末路了

vint019 · 发表于 2016-9-22 20:42:47

這是二次曲線補償技巧，每家公司各有其方法。其實自己來發掘還滿有趣的。
我只能告訴你方向，剩下的你自己摸索會更有成就感。
首先找出為什麼PTAT跟NTAT互相抵消之後為什麼不是玲溫度係數?原因就是PTAT曲線沒有那麼直線，NTAT也是。
再來，就是運用一些MOS或DIODE組合成你要的曲線的電流，用電流鏡並聯到PTAT電流來補償達到你要的曲線，記得補償只能取些微的電流補償，不要想要大量的補償，否則會越補越糟。同時VREF那路徑的RES跟PNP也可以併聯如上述的電流來補償。
其他自己琢磨，住好運。

countersr · 发表于 2016-9-22 21:47:08

即使没有其他高阶补偿，也不应该有48ppm这么大吧。可以分别仿下25，-40，85下的工作点，检查一下是哪里出了问题。

vint019 · 发表于 2016-9-23 00:06:57

不同種類的電阻有不同的溫度係數，改一下種類。

zcg0697 · 发表于 2016-9-23 10:46:19

本帖最后由 zcg0697 于 2016-9-23 10:53 编辑

R0,R2用相同的电阻，另外为什么电阻电流不一样，但是MOS管电流又是一样的?

最菜的 · 发表于 2016-9-23 11:00:50

回复 7# zcg0697

R0和R2开始时我用的是不同类型的电阻，后来改为相同类型，主支路电流和Iptat电流大小是一样的，只是在小数点后4位有点差别，这是可以接受的吗？
谢谢！！

最菜的 · 发表于 2016-9-23 11:03:09

回复 6# vint019

改了电阻类型不同之后，最后的温度系数会变差，只有在电阻类型相同时温度系数才稍微好些

zcg0697 · 发表于 2016-9-23 11:05:46

回复 8# 最菜的

我看图上显示R2是1.2u，R0是1.0u

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