请教一个基本电路问题，比较这两个电路

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 08:32:20

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比较两个电路

这两个电路中的pmos和nmos所加的偏置电压相同，vdd相同。nmos的尺寸相同（30/1.2），唯一的区别是第一个图中是单个pmos（24/1.2），第二个图中是两个并联的pmos，尺寸减半（12/1.2）。
请问两图中的电压和电流有何不同，为什么？

longqingshan · 发表于 2012-4-9 10:01:37

没啥不同

wind2000sp3 · 发表于 2012-4-9 10:21:42

24/1.2与2x12/1.2相比，在尺寸上没有不同。但是现在的MOS管的model是按照W、L的尺寸划分拟合区间的，大多数工艺的Model在W=20um的时候是个分界线，大于这个尺寸和小于这个尺寸用的是不同的model。

所以我估计这个电路的电流有可能不同，如果不同的话，就是model的问题。

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 10:56:14

回复 3# wind2000sp3

谢谢，不过我发现我用的model好像在小尺寸的情况下，这两个电路仍然有不同，只不过差距小一点而已。
单从公式上分析，file:///C:/Users/Ritchie/AppData/Local/Temp/moz-screenshot-1.png
两者应该是一样的。

请问前辈，model上的差别主要是由于什么造成的呢？？从工艺，物理层怎么理解？？

semico_ljj · 发表于 2012-4-9 11:00:16

和物理版图的形状以及寄生有关（这样就影响了模型），一般对直流点没有影响，交流有一些影响

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 11:06:27

再附上一张DC工作点的图

望各位大牛指点迷津啊！

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 11:09:05

回复 5# semico_ljj

lakeoffire · 发表于 2012-4-9 13:52:19

Did you check the Vth of each case? If the model includes some layout effect (e.g. LOD effect), then the vth can be slightly different and hence the DC performance. Just my guess.

griffinseu · 发表于 2012-4-9 14:04:27

回复 8# lakeoffire

学习中。

lixiaojun707 · 发表于 2012-4-9 15:52:53

回复 8# lakeoffire

仿真结果的不同主要取决于layout的不同，在sechmatic中有一些switch选项是关于layout的效应的（STI、阱临近效应）等，这样就会使仿真结果不同。

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