请教一个基本电路问题，比较这两个电路

lee88290743 · 发表于 2012-4-10 11:04:18

回复 23# zjzhang1124

这个... 根据 6# 图看,是前面的电流大一点.

lee88290743 · 发表于 2012-4-10 11:11:59

回复 30# lixiaojun707

谢谢.
对于第2个我可以理解了.

第1个,我还想再问一下.如果拆成finger之后的schematic与最初的schematic结果差别很大,是不是意味着设计不通过,需要重新设计修改管子尺寸??

gaojun927 · 发表于 2012-4-10 11:19:05

回复 28# lee88290743

怎么会一样呢？即使最简单的模型里也要考虑deltaW，更复杂一点的W和L会直接影响到各个相关参数，再复杂的，结合版图，有sa，sb的差异，有sca，scb，scc的差异。再加上你给的那个电路图对偏置很敏感，所以出来的工作点有那么一点差异实在是不算什么。

jktheone1987 · 发表于 2012-4-10 11:54:01

个人觉得，本身器件级的源漏的L，W多少都会有扩散长度，Ldd，它相对这个管子的影响都会有，就是，有效的Weff和Leff都不同，对吧

敏兹 · 发表于 2012-4-10 12:30:33

回复敏兹

我想知道为什么lamda是不同的,W不同,但L都是一样的,Leff不也应该是一样的么?
lee88290743 发表于 2012-4-10 00:02

登录/注册后可看大图

你不是也说了么，Vth都不一样，那么Leff当然不一样了

lakeoffire · 发表于 2012-4-10 14:12:49

回复 29# lee88290743

when the spacing is large enough (you can find the design rule for WPE) so the WPE is not significant, it won't cause problem. Otherwise, it can totally kill your design, especially in deep sub-micron process. Believe it or not is up to you.

lixiaojun707 · 发表于 2012-4-10 14:13:40

回复 lixiaojun707

谢谢.
对于第2个我可以理解了.

第1个,我还想再问一下.如果拆成finger之后 ...
lee88290743 发表于 2012-4-10 11:11

登录/注册后可看大图

并不是说设计失败，只是说设计的冗余很差！

另外阱临近效应等在工艺尺寸很小的情况小才明显。阱临近效益一般只在160nm一下的工艺考虑。

zjzhang1124 · 发表于 2012-4-10 17:28:22

回复 31# lee88290743

是前面的大点，我写错了， sorry.
原因就是俩个图，最终用于计算的时候，管子的宽度相差了一个delta W.

liiru · 发表于 2012-4-10 17:45:10

我可以告诉你，引起不同的是因为W不一样，阈值电压会略有差别，我以前一直以为两个1/0.13并联和一个2/0.13的管子没有什么区别，但是仿真之后会发现其实是阈值电压有些变化；如果没记错是W大的那个阈值大一些；然后就是像前面人所说，引起不同的就是layout的情况了；但是这个只会在后仿中才会出现；根据的你的描述，这遇到的差异与layout无关；

luoqiaode00 · 发表于 2012-4-10 19:25:06

看看。。。

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