求教LDD结构

dqyang · 发表于 2011-7-14 11:12:23

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求教CMOS做N+注入时，LDD结构及其作用是怎样的？

longgangtou · 发表于 2011-7-14 19:31:57

增加源漏区到gate的寄生电阻。耐高压，ESD保护

dqyang · 发表于 2011-7-16 15:17:35

谢谢楼上的回复.
LDD结构是不是先注入n-在注入n+形成源漏区？为什么叫LDD结构啊？寄生的电阻是指源漏到gate的n-区域吗？是不是指ESD管的blocking那个区域？

longgangtou · 发表于 2011-7-25 09:41:20

回复 3# dqyang

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LDD和ESD block是两种概念，ESD block应该就是 salicide block，就是对于一般ESD管，和某些高阻，不需要进行salicide注入（默认都是进行salicde注入，以减小源，漏，栅的接触电阻，增加一致性）
以上如有说明错误，还望大家指正。

donaldz · 发表于 2011-7-25 16:51:50

LDD通常主要有两个作用：1）改善HCI，2）改善short channel effect。其基本结构就是poly gate做好以后，先做一个ldd implant，然后做spacer，然后再做n+

dqyang · 发表于 2011-7-27 09:49:45

谢谢各位大侠，刚接触这行，很多东西都不会

georgehecm · 发表于 2011-7-31 09:44:15

spacer指的是什么？
看上去好像是增加距离的意思
回复 5# donaldz

semico_ljj · 发表于 2011-7-31 17:39:52

bucuo

yuluw2004 · 发表于 2011-8-9 15:00:14

回复 5# donaldz

HCI是什么意思?

82314272 · 发表于 2011-8-11 15:25:02

LDD和N+是分开做的，但一般用同一快Mask，节约成本

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