求教LDD结构

icfbicfb · 发表于 2011-8-12 12:26:33

HCI ： hot carrier injection : 热载流子注入

LDD ： low doped drain ，直到现在65nm ， LDD还是必须的步骤，
P/N管都要做这个，

whr_fly · 发表于 2011-8-18 08:25:54

LDD结构是为了增加工作的漏源电压，把漏区靠近栅边缘处先清掺杂，这样耗尽区扩大，夹断沟道电场减小，工作电压提高。为了保持期间的一半特性，N+也是必须的。

GnitNait · 发表于 2011-8-25 13:34:54

CMOS里面的LDD不纯粹是为了增加横向耐压，我觉得更主要的是因为，S/D都是重掺杂，如果不做LDD，直接进行重掺杂，在后续高温扩散过程中，S、D可能就导通了，也就是说，源、漏的重掺杂会污染到沟道。正常的工艺步骤是做完多晶硅栅后做源、漏重掺杂，然后做侧墙（sidewall spacer），然后再做源漏区的重掺杂。在LDMOS里面，LDD区很长，那个是为了提高击穿电压的。

rainlym · 发表于 2011-9-2 09:41:57

LDD最重要的作用还是减小源漏区和沟道区的耗尽区电场强度以提高HCI性能，其次是提高横向击穿电压（也就是防止SD punch through)。对于0.18 的I/O device，punch through 几乎不会有问题，但是仍然使用LDD就是因为I/O device的HCI 相对Core device要更weak。

nathan_ruan · 发表于 2013-5-17 23:42:52

观点与5楼差不多

“esd block“ 一般同时包括 ldd 和salicide block

harry1862pd · 发表于 2013-5-19 09:47:38

教科书上很多

wbautumn · 发表于 2013-6-23 23:40:49

回复 13# GnitNait
回答的好，简单易懂

sapchen · 发表于 2013-6-25 16:36:51

学习了

stonehenge1 · 发表于 2013-6-26 10:51:19

xuexie le

zixi_2012 · 发表于 2013-7-25 14:15:26

学习了

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