MOS电容的问题

小小xxl · 发表于 2009-12-8 14:46:00

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

我用的MOS电容，是把D、S、B端短接的方法，请问下高手，在cadence中的specture仿真下，Cgg是不是就是指的是栅极的总电容啊？先谢了！

amodaman · 发表于 2009-12-8 18:53:07

自己做一个简单的模拟仿真：

设置MOS管的沟道长度或者宽度为变量，给定允许的MOS管栅极偏置，然后sweep变量，plot 仿真OP 结果里面的Cgg, 出来的结果应该是一根直线，那么说明直流工作点里面的Cgg确实是栅极总电容，而不是单位面积的电容。

你再自己做一个交流频率域的仿真，利用电容的交流阻抗为1/(2*pi*f*C)的原理看看能不能在仿真中得到验证。当然现在的MOS模型里面都不止一个电容，所以你会看到非理想的曲线而不是直线，但是应该一级近似是差不多的，和直流仿真的结果比较一下吧。

小小xxl · 发表于 2009-12-8 20:27:07

恩，确实是个好方法啊！好，试试哈！谢谢楼上了！

amodaman · 发表于 2009-12-8 20:38:26

你的名字如果再加多一个x, 我们公司的防火墙就会拦住我了。哈哈。

xftang · 发表于 2009-12-8 22:11:20

我用的MOS电容，是把D、S、B端短接的方法，请问下高手，在cadence中的specture仿真下，Cgg是不是就是指的是栅极的总电容啊？先谢了！
小小xxl 发表于 2009-12-8 14:46

登录/注册后可看大图

MOS电容的mos管一般都会工作在反型区，可以根据WLCox来算MOS电容

amodaman · 发表于 2009-12-9 06:25:18

手算只能算个大概，这年头的模型复杂着呢。MOS管的电容和偏置还有关系呢，而且也不是一个单独的电容，是分布式的，而且看你关注哪个频段。

amodaman · 发表于 2009-12-9 08:34:52

刚刚自己跑过仿真，我说的两个方法出来的结果是一样的，我的例子里面交流和支流都给出了0.2fF的电容，几乎一样。

NMOS管，标准Vt, 栅极偏压 1V，W=120nm, L=100nm, 40nm工艺，Cgg=0.2fF。

forever6269 · 发表于 2009-12-9 16:23:29

谢谢楼主的分享了！

forever6269 · 发表于 2009-12-9 19:28:41

dddddddddddddddddddd

junlintianxia08 · 发表于 2012-10-8 13:43:58

学习下，不错

MOS电容的问题

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

站长推荐 /2