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据说格雷的《模拟集成电路的分析与设计(第4版)》翻译的不好

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发表于 2009-10-7 16:29:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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有没那位高人具体说一下不好在什么地方吗?谢谢
发表于 2009-10-7 17:42:39 | 显示全部楼层
是北航翻译的。宿舍同学买过这本中文书。微电子的基本词汇都不会翻,比如离子注入,PN结等等。我看过一章,简直是煎熬。建议先看西交微电子所翻译的拉扎维那版,熟悉基本概念后再看格雷的英文版。
 楼主| 发表于 2009-10-8 21:01:32 | 显示全部楼层
谢谢指教啊
发表于 2009-10-8 22:22:12 | 显示全部楼层
这本比较难,还是先看拉扎维的吧
发表于 2009-10-9 12:01:33 | 显示全部楼层
P R 。GRAY 这本宝书,被北航的张晓林教授,赵琪博士糟蹋了,可惜,暴殄天物是某些中国学者特长。  

E page 644 : the theory applies in general to any active circuit,but the 【unique】 device parameters of MOSFET cause some of the approximations that were made in the preceding analyses to become invalid.  

中 606 大体上,这理论方法适用于任意有源电路,但是MOSFET的唯一的器件参数使一些在前面分析中或得的近似值无效。  

E page 630: consider the vertical distance between the curve of 20loga(jw)and the line 20log1/f in figure 9.8  

中591: 考虑20loga(jw) 的曲线之间的垂直距离和图9.8中的20log1/f 的线段。  


更要命的是,原文所有的【  xx dB/ octave 】被译成 了【 XX dB/ 十倍频程】  

像这样读不懂的地方举不胜举,结论:尽可能的看英文
发表于 2009-10-9 12:04:42 | 显示全部楼层
请问:上面的翻译是什么意思????

北航的张晓林教授,赵琪博士  严重怀疑你们有没有真正的审校??还是在大街上随便拉个人来翻译的?垃圾
发表于 2009-10-10 23:10:53 | 显示全部楼层
这翻译真是误人子弟
发表于 2010-1-21 16:37:42 | 显示全部楼层
看了大家说的都不想下翻译版了!可怜这本经典啊。
发表于 2010-1-21 19:11:48 | 显示全部楼层
太对了, 还是看原版吧,虽然开始难点
发表于 2010-1-22 14:09:30 | 显示全部楼层
我个人觉得印刷错误比较多,虽然翻译的一般,但也不要过分鄙视。毕竟让大家去翻译,也未必能翻译的更好
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