对Bandgap 的layout应注意哪些？

yangyu3213

所谓的匹配和对称是什么关系？

aliu0806

继续讨论，呵呵，学习下！
重要部分的对称、匹配以及衬底的连接，还有中测得调节。

viag

原帖由 semico_ljj 于 2008-12-14 21:09 发表

                               
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“pnp24：1”为什么比8：1的好？有论文说明吗？

razzvi书上有公式，为了减小Vos的影响

viag

原帖由 yixiantian 于 2008-12-14 18:30 发表

                               
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在layout上，bandgap尽可能居中，周围放电容，尽量远离干扰源，pnp24：1要好于8：1，op的差分对尺寸要大些，匹配是一定要的了，trimming是一定要的了，不过trimmingPAD的位置要放好，不要引入大的寄生电容，以免对电 ...

问一下，周围放电容是什么原因呢？

ttrrttrr

首先需要看你做的是电压源还是电流源
其次要当心电阻的匹配

输入对管采用四方交叉一般来说可以达到较高的精度

最关键的当然是三极管的匹配咯!

kaosk

BJT layout must close

hww1983

原帖由 esbwong 于 2008-12-14 20:16 发表

                               
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vpnp 要 match
POLY R 要 match + dummy
MOS 要 match
Clean ground connections.

这个说的正理，带隙中核心PNP或NPN都要match

hww1983

做过NPN10：1的带隙，三极管的布局对称成5：1：5，也是可以实现match的。

morgan1168

matching of R, including parasitic R
matching of opamp used, trying to take care of Vt mismatch and device mismatch
Pay attention to layout

laoban1234

BJT匹配好，一般是1：8共质心结构，运放离BJT的距离尽量近点，电流镜要匹配好，注意multiple  与finger的区别，特别是对够到长度比较短的器件，如65nm工艺。比例电阻采用同样类型的电阻，两边加电阻做dummy。