对Bandgap 的layout应注意哪些？

thewolftotem

cmos bandgap电路，怕出来工艺偏差太大，在layout时应注意哪些？请指点，谢。

zhujun134

同问！

zhanweisu27

电路和layout共同完成‘

电阻种类选择

三极管中心对称，如8：1的，中1外8

电路使用外部可调节的校正电阻之类÷

。。。

thewolftotem

原帖由 zhanweisu27 于 2008-3-12 22:46 发表

                               
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电路和layout共同完成‘

电阻种类选择

三极管中心对称，如8：1的，中1外8

电路使用外部可调节的校正电阻之类÷

。。。

谢谢。
使用可调节的校正电阻，外部指芯片外部吗？如果是的话外部电阻的温度系数等等需要考虑吗？

tracy_smile

注意电阻，mos管的匹配。尽量减小offset。

ilikeeatingcake

好的bandgap需要降低由于工艺引起的offset就可以了，否则"吹"得再精确温度系数和电源调整率也不会很好。

所以对衬真的很重要，无论电流镜还是差动对。

至于精度问题和温度系数完全是"吹"出来的。

chrisdy

我也想知道，layout的注意事项

smilodon

周末有空做点贡献
最重要的是匹配，所谓对称的概念是错误的
最关键的是PNP管的匹配，采用1：8的比例可以采用3*3的排列，中心的是1，注意连线的宽度可以尽可能大一些；
其次，注意运放电路的器件匹配，尤其是差分输入对管以及电流镜像的管子

电阻注意尽量采用poly电阻，尽管阻值低，但是温度特性很好，Nwell电阻温度特性太差
电阻的匹配做好

布局注意一下信号的走向尽可能从左到右，上面是电源，下面是地，有可能的话多接地

做好这些，基本你的设计一定能实现

guang3000

楼主做的这个bandgap的目的是温度特性，还是bandgap的电压绝对值的精准啊
个人理解运放的失调电压很重要， 假若有-10mV到+10mV的失调，而这个电压就直接加在Vt lnn 上，那再乘以 (R1+R2)/R1， 那
该是多少啊 ？所以这个电阻的比例越小越好，当然这个要看PNP管子的温度系数是否够小,要看工艺。
还有，一般bandgap两边流的都是PTAT电流，那个值是 Vt lnn /R1 ,  R1在工艺上有多大误差，这个PTAT电流就会有多大的误差
，而这个电流留过PNP管，又有电压的误差了，不过我认为这个误差较小，因为二极管电流和电压之间的指数关系。

semico_ljj

原帖由 guang3000 于 2008-12-13 19:16 发表

                               
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楼主做的这个bandgap的目的是温度特性，还是bandgap的电压绝对值的精准啊
个人理解运放的失调电压很重要， 假若有-10mV到+10mV的失调，而这个电压就直接加在Vt lnn 上，那再乘以 (R1+R2)/R1， 那
该是多少啊 ？所 ...

好像有误啊？