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对Bandgap 的layout应注意哪些?

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发表于 2008-3-12 16:56:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

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cmos bandgap电路,怕出来工艺偏差太大,在layout时应注意哪些?请指点,谢。
发表于 2008-3-12 18:11:40 | 显示全部楼层
同问!
发表于 2008-3-12 22:46:15 | 显示全部楼层
电路和layout共同完成‘

电阻种类选择

三极管中心对称,如8:1的,中1外8

电路使用外部可调节的校正电阻之类÷

。。。
 楼主| 发表于 2008-3-13 11:52:01 | 显示全部楼层


原帖由 zhanweisu27 于 2008-3-12 22:46 发表
电路和layout共同完成‘

电阻种类选择

三极管中心对称,如8:1的,中1外8

电路使用外部可调节的校正电阻之类÷

。。。


谢谢。
使用可调节的校正电阻,外部指芯片外部吗?如果是的话外部电阻的温度系数等等需要考虑吗?
发表于 2008-3-13 16:58:38 | 显示全部楼层
注意电阻,mos管的匹配。尽量减小offset。
发表于 2008-3-13 20:10:53 | 显示全部楼层
好的bandgap需要降低由于工艺引起的offset就可以了,否则"吹"得再精确温度系数和电源调整率也不会很好。

所以对衬真的很重要,无论电流镜还是差动对。

至于精度问题和温度系数完全是"吹"出来的。
发表于 2008-3-16 10:22:52 | 显示全部楼层
我也想知道,layout的注意事项
发表于 2008-12-12 15:29:44 | 显示全部楼层
周末有空做点贡献
最重要的是匹配,所谓对称的概念是错误的
最关键的是PNP管的匹配,采用1:8的比例可以采用3*3的排列,中心的是1,注意连线的宽度可以尽可能大一些;
其次,注意运放电路的器件匹配,尤其是差分输入对管以及电流镜像的管子

电阻注意尽量采用poly电阻,尽管阻值低,但是温度特性很好,Nwell电阻温度特性太差
电阻的匹配做好

布局注意一下信号的走向尽可能从左到右,上面是电源,下面是地,有可能的话多接地

做好这些,基本你的设计一定能实现
发表于 2008-12-13 19:16:00 | 显示全部楼层
楼主做的这个bandgap的目的是温度特性,还是bandgap的电压绝对值的精准啊
个人理解运放的失调电压很重要, 假若有-10mV到+10mV的失调,而这个电压就直接加在Vt lnn 上,那再乘以 (R1+R2)/R1, 那
该是多少啊 ?所以这个电阻的比例越小越好,当然这个要看PNP管子的温度系数是否够小,要看工艺。
还有,一般bandgap两边流的都是PTAT电流,那个值是 Vt lnn /R1 ,  R1在工艺上有多大误差,这个PTAT电流就会有多大的误差
,而这个电流留过PNP管,又有电压的误差了,不过我认为这个误差较小,因为二极管电流和电压之间的指数关系。
发表于 2008-12-14 17:27:19 | 显示全部楼层


原帖由 guang3000 于 2008-12-13 19:16 发表
楼主做的这个bandgap的目的是温度特性,还是bandgap的电压绝对值的精准啊
个人理解运放的失调电压很重要, 假若有-10mV到+10mV的失调,而这个电压就直接加在Vt lnn 上,那再乘以 (R1+R2)/R1, 那
该是多少啊 ?所 ...


好像有误啊?
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