对Bandgap 的layout应注意哪些？

semico_ljj · 发表于 2008-12-14 17:28:52

“那个值是 Vt lnn /R1 , R1在工艺上有多大误差，这个PTAT电流就会有多大的误差”这个确实可以忽略不计的！

yixiantian · 发表于 2008-12-14 18:30:44

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tigeratzoo · 发表于 2008-12-14 19:50:52

把运放输入差分对管尺寸加大再加大，版图匹配做好再做好！

esbwong · 发表于 2008-12-14 20:16:09

vpnp 要 match
POLY R 要 match + dummy
MOS 要 match
Clean ground connections.

semico_ljj · 发表于 2008-12-14 21:09:48

原帖由 yixiantian 于 2008-12-14 18:30 发表

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在layout上，bandgap尽可能居中，周围放电容，尽量远离干扰源，pnp24：1要好于8：1，op的差分对尺寸要大些，匹配是一定要的了，trimming是一定要的了，不过trimmingPAD的位置要放好，不要引入大的寄生电容，以免对电 ...

“pnp24：1”为什么比8：1的好？有论文说明吗？

linjeffrey · 发表于 2008-12-14 21:11:59

是否有網友可以分享想關的書籍,因為這是很重要的設計領域

guang3000 · 发表于 2008-12-15 09:29:12

原帖由 semico_ljj 于 2008-12-14 21:09 发表

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“pnp24：1”为什么比8：1的好？有论文说明吗？

见过的都是8：1的，pnp24:1 我想主要不是匹配的问题，是为了增加50% lnn ？这样就可以用上更小的 (R2+R1)/ R1?
这个面积的代价好像大了点

fuyibin · 发表于 2008-12-15 12:46:54

bandgap 的match是很重要，不过十几mV是正常的
想象那个opamp，就是多少个mV 的offset了
还有所有的电流镜，电阻，vpnp
前面大家提到的vpnp 8:1和 24:1，
但是一直疑问还有最终产生电压的还有一个vpnp需不需要match呢？
我觉得也要吧！
要把这些做一起，比例就不一定是以上的比例关系了！见过10:1:1的，正好是3X4也挺好的

关于process variation的问题，我觉得
1）vpnp的pn junction的doping 影响最大，
2）其次是电阻阻值导致current variation，使得vpnp的Vbe电压变化其次（delta Vbe随corner变化较小）
3）mos的corner 影响很小
以上的偏差都可以推公式计算的

yzhfy · 发表于 2008-12-15 18:17:07

受教了~~~

huafeng0122 · 发表于 2008-12-15 21:15:27

有流片经验没有哦

yixiantian yixiantian 当前离线积分 15 头像被屏蔽	发表于 2008-12-14 18:30:44 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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