在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
楼主: thewolftotem

对Bandgap 的layout应注意哪些?

[复制链接]
发表于 2008-12-14 17:28:52 | 显示全部楼层
“那个值是 Vt lnn /R1 ,  R1在工艺上有多大误差,这个PTAT电流就会有多大的误差”这个确实可以忽略不计的!
头像被屏蔽
发表于 2008-12-14 18:30:44 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2008-12-14 19:50:52 | 显示全部楼层
把运放输入差分对管尺寸加大再加大,版图匹配做好再做好!
发表于 2008-12-14 20:16:09 | 显示全部楼层
vpnp 要 match
POLY R 要 match + dummy
MOS 要 match
Clean ground connections.
发表于 2008-12-14 21:09:48 | 显示全部楼层


原帖由 yixiantian 于 2008-12-14 18:30 发表
在layout上,bandgap尽可能居中,周围放电容,尽量远离干扰源,pnp24:1要好于8:1,op的差分对尺寸要大些,匹配是一定要的了,trimming是一定要的了,不过trimmingPAD的位置要放好,不要引入大的寄生电容,以免对电 ...


“pnp24:1”为什么比8:1的好?有论文说明吗?
发表于 2008-12-14 21:11:59 | 显示全部楼层
是否有網友可以分享想關的書籍,因為這是很重要的設計領域
发表于 2008-12-15 09:29:12 | 显示全部楼层


原帖由 semico_ljj 于 2008-12-14 21:09 发表

“pnp24:1”为什么比8:1的好?有论文说明吗?



见过的都是8:1的,pnp24:1 我想主要不是匹配的问题,是为了增加50% lnn ? 这样就可以用上更小的 (R2+R1)/ R1?
这个面积的代价好像大了点
发表于 2008-12-15 12:46:54 | 显示全部楼层
bandgap 的match是很重要,不过十几mV是正常的
想象那个opamp,就是多少个mV 的offset了
还有所有的电流镜,电阻,vpnp
前面大家提到的vpnp 8:1和 24:1,
但是一直疑问还有最终产生电压的还有一个vpnp需不需要match呢?
我觉得也要吧!
要把这些做一起,比例就不一定是以上的比例关系了!见过10:1:1的,正好是3X4也挺好的

关于process variation的问题,我觉得
1)vpnp的pn junction的doping 影响最大,
2)其次是电阻阻值导致current variation,使得vpnp的Vbe电压变化其次(delta Vbe随corner变化较小)
3)mos的corner 影响很小
以上的偏差都可以推公式计算的
发表于 2008-12-15 18:17:07 | 显示全部楼层
受教了~~~
发表于 2008-12-15 21:15:27 | 显示全部楼层
有流片经验没有哦
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-23 13:23 , Processed in 0.031542 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表