问个ESD方面的问题

pleely · 发表于 2008-7-31 09:26:10

楼主好人呀

bartuc · 发表于 2008-7-31 11:56:32

受教了。。。

darry · 发表于 2008-7-31 13:27:12

thanks!!!!!!!!!!!!!

zaitian80 · 发表于 2008-8-1 11:22:12

栅端接地的NMOS做ESD器件主要是靠寄生横向NPN来作为ESD保护器件的。
考虑到工艺上对栅端下面沟道会些特别的离子注入，
表面结构也比较特殊，在特定控制条件下有利于提前形成集射之间的穿透
设计规则上横向基区也会比较窄
所以才做成栅端接地的NMOS

负压导通其实并不是作为ESD保护来考虑的，非静电输入也会导通。仅仅是考虑其直流导通模型的话，正偏二极管当然会比沟道导电能力强得多

semico_ljj · 发表于 2008-8-1 12:42:07

原帖由 zaitian80 于 2008-8-1 11:22 发表

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栅端接地的NMOS做ESD器件主要是靠寄生横向NPN来作为ESD保护器件的。
考虑到工艺上对栅端下面沟道会些特别的离子注入，
表面结构也比较特殊，在特定控制条件下有利于提前形成集射之间的穿透
设计规则上横向基区也会 ...

正解！！！

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