问个ESD方面的问题

tracy_smile · 发表于 2008-3-12 10:43:32

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对于一个pad，有个ESD nmos 下拉管：

esd.pdf (236.84 KB, 下载次数: 48 )

请问输入正脉冲时，该NMOS管是作为反向击穿使用的，利用其P衬底作为基极。
如果输入负脉冲，是靠衬底和漏端的寄生二极管正向导通。我想知道，输入负脉冲，这个NMOS管会不会导通（即：源端到漏端流过电流）？难道仅仅是利用衬底二极管流电流？

ilikeeatingcake · 发表于 2008-3-13 20:18:01

沟道当然也流，不过的确是靠衬底泻流的，衬底毕竟是三维的，沟道只有两维，所以衬底泻放能力远远大于沟道。

tracy_smile · 发表于 2008-3-14 10:39:22

我想因为漏端和衬底的寄生pn结导通的话，那么电压就会被限制在大约0.7V左右，而mos管的阈值电压可能会高于这个值，所以沟道可能没有电流。
不过你说得很有道理，漏端和衬底间的寄生二极管导通的话，电流确实应该比沟道电流大。

ilikeeatingcake · 发表于 2008-3-14 13:20:59

一般衬底二极管面积都会很大，所以开启电压可能都不到0.5V，可是channel的宽度也很宽，所以在亚阈值区就可能导通，所以这两个谁先导通不好说，

但是当二者都导通时，肯定大部分电流从衬底流过。

tracy_smile · 发表于 2008-3-14 17:17:50

嗯，楼上兄弟的分析很有道理。希望有机会大家多交流。

zhanweisu27 · 发表于 2008-3-14 20:14:59

这篇文章当简介看好了

ilikeeatingcake · 发表于 2008-3-15 00:51:51

原帖由 tracy_smile 于 2008-3-14 17:17 发表

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嗯，楼上兄弟的分析很有道理。希望有机会大家多交流。

好啊，终于交到同道中人了。

你有QQ么？发消息给我吧。

acrofox · 发表于 2008-3-16 06:36:57

原帖由 tracy_smile 于 2008-3-12 10:43 发表

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对于一个pad，有个ESD nmos 下拉管：

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请问输入正脉冲时，该NMOS管是作为反向击穿使用的，利用其P衬底作为基极。
如果输入负脉冲，是靠衬底和漏端的寄生二极管正向导通。我想知道，输入负脉冲，这个NMOS ...

输入负脉冲时，NMOS管是栅接源的，不会导通。

ilikeeatingcake · 发表于 2008-3-16 13:18:13

原帖由 acrofox 于 2008-3-16 06:36 发表

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输入负脉冲时，NMOS管是栅接源的，不会导通。

正是因为NMOS管栅接源，所以才会当输入负脉冲才会导通。

acrofox · 发表于 2008-3-16 22:32:20

原帖由 ilikeeatingcake 于 2008-3-16 13:18 发表

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正是因为NMOS管栅接源，所以才会当输入负脉冲才会导通。

哦，是我错了，神经接错地方了

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