一个die上两个完全的LDO，流片测试输出却不一样

BraveTiger

   

vincentwjw 发表于 2024-3-12 10:52
没做开尔文sense？

没做开尔文，这个现象能在电路中仿真出来吗？

BraveTiger

   

苏AE86 发表于 2024-3-12 14:37
跑个EMIR看看

大佬，怎么仿真呢？

BraveTiger

   

jojenwong 发表于 2024-3-12 14:07
拉的负载负载电流是多大，可能是IRdrop 和 走线电阻引起的

最大负载10mA，这个东西能在后仿真跑出来吗？

vincentwjw

   

wrss20080407 发表于 2024-3-12 12:23
您好，向您请教一下开尔文sense。我最近也再所ldo，也是我第一次听说开尔文sense，不知道如何仿真开尔文s ...

简单讲就是有寄生电阻，电流通过后产生了压降，如果你反馈的sense点直接接到pad的话，那么就不会有这个影响。

苏AE86

   

BraveTiger 发表于 2024-3-12 15:04
大佬，怎么仿真呢？

EMIR就是仿真寄生电阻导致的压降和走线宽度是否符合电流能力的，totem软件能做，cadence也能做，流程比较多，建议找公司会的人帮一下

BraveTiger

   

vincentwjw 发表于 2024-3-12 15:22
简单讲就是有寄生电阻，电流通过后产生了压降，如果你反馈的sense点直接接到pad的话，那么就不会有这个影 ...

大佬，是这意思吗？LDO的sense也拉个PAD

苏AE86

是任何负载下都有200mV的差异吗

BraveTiger

刚刚测试下来，还有一个奇怪的现象。
1.空载的时候vout1和vout2都是正常的；
2.当都上负载后，vout1下降，vout2上升，并且下降数值与上升数值基本一样；
3.vout1断开之后，单独测试vout2，vout2也依旧是空载正常，负载上升，但是上升值与两路都带负载相比较是降低的。

BraveTiger

   

苏AE86 发表于 2024-3-12 15:39
是任何负载下都有200mV的差异吗

也不是，如果vout1空载，只测试vout2，它的上升数值就没这么大。

jojenwong

   

BraveTiger 发表于 2024-3-12 15:47
刚刚测试下来，还有一个奇怪的现象。
1.空载的时候vout1和vout2都是正常的；
2.当都上负载后，vout1下降，v ...

拉负载输出电压上升不符合常理啊， 请问你两个LDO 是输出挂在同一个负载电容还是分开的； 另外 负载电流可以拉空载 ，1mA 5mA 10mA，估算一下 电流大小和压降是否成比例，确认是否是走线或者芯片输出到pad上的阻抗大小