不同注入之间，仅用有源区连接是否能导通？

benjude

我见过这种，这种叫啥butting画法，很少见。我在.18见过是没有问题的
小工艺是不能od上有两种注入的，大工艺无所谓。

壮宇

maomao198477 发表于 2023-11-29 13:32
本来就是要接一起的

您好，感谢回复，但是为什么本来就要接一起呢？

正常反相器的源端一般都只是通过金属接到衬底端上，即使是数字的stdcell，通过有源区连接了衬底，同时也会在上面用金属连接，类似管子integrate的衬底画法。
我画的不多，所以不理解这样只用有源区连接不同注入区域的。

壮宇

benjude 发表于 2023-11-29 15:26
我见过这种，这种叫啥butting画法，很少见。我在.18见过是没有问题的
小工艺是不能od上有两种注入的，大工 ...

谢谢您提供的线索，我去搜索搜索相关的问题

壮宇

tuohong 发表于 2023-11-29 13:58
这个反相器不能工作。
你的理解是对的，咱们先看上半边，NWELL端有metal接过来，但是它本身是N型且接高电位 ...

谢谢前辈的回复解答

前提是电路就是这样设计的，版图是否可以这么画，不考虑阱电位是否独立，我目前所理解的是不行。
软连接检查开了，且这个工艺比较成熟，且问了foundry，他们回复是这种画法可以，LVS文件也没问题，但是没有解释原因，所以我十分苦恼。

壮宇

Jerome_Sun 发表于 2023-11-29 11:12
这样就相当于软连接了，因为poly相当于一个横亘在diff中间的墙，你可以在电路上再加一个inv试一试连线关系 ...

您好，软连接检查有打开的，我个人感觉都没连接，算不上软连接

您说的没有电流只有电压，有点道理，我忽然有点感觉了，我需要再思考思考

xuhao

壮宇 发表于 2023-11-29 15:25
感谢您的回复
不过按我对“有源区等同于导线”的理解，有个前提是：“在同一注入下”。
不同的注入之间 ...

有源区是通过STI进行电性隔离，并不是通过注入。

ZN0001

这我觉类似于butting结构吧，只不过你这形成PN结会不会导致供电不足之类的情况

壮宇

xuhao 发表于 2023-11-29 17:13
有源区是通过STI进行电性隔离，并不是通过注入。

您好，
有源区是通过STI进行电性隔离的这个我也不太清楚
假设这只是普通的标准cmos工艺，不存在浅槽隔离工艺呢
我认为我一楼的反相器的剖面图是和下面这张图这样的，若没有用金属连接，不应该像您说的只是电阻大的导线呢，而是PN结。

壮宇

843071455 发表于 2023-11-29 19:44
你如果了解这类工艺的制作过程你就会明白这样为什么可以了，虽然有源区注入了不同的掺杂会形成pn，但是在 ...

谢谢前辈指点
如果是这样，那就完全能解释通了，也能解释另一位前辈说的有源区需要用sti隔离开来，我去了解一下相关的工艺制作过程，十分感谢！

843071455

壮宇 发表于 2023-11-29 20:03
谢谢前辈指点
如果是这样，那就完全能解释通了，也能解释另一位前辈说的有源区需要用sti隔离开来，我去了 ...

locos工艺和sti工艺要分开看，它两个是不同的，你看明白了polycide和salicide工艺的区别，你就应该知道上面你问的如果是普通的cmos工艺到底可不可以了。