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查看: 2566|回复: 21

[求助] 不同注入之间,仅用有源区连接是否能导通?

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发表于 2023-11-29 09:31:06 | 显示全部楼层 |阅读模式
200资产
求助大家,仅用有源区连接管子的源端和衬底接触,这种情况下的反相器是能正常工作的吗?

我对有源区的理解是,有源区是薄氧区域,方便离子注入,即有源区是离子注入的窗口,所以这种情况下,我认为不同注入之间的有源区连接应该是一个PN结,而不能当连线,这个反相器应该不能正常工作。
但事实是,DRC和LVS都没有问题。
最近对这个问题好困扰,恳请大家批评指正,指点迷津!


case.png

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你如果了解这类工艺的制作过程你就会明白这样为什么可以了,虽然有源区注入了不同的掺杂会形成pn,但是在有源区的上面还有一层金属硅化物的,它是可以导电的,所以即使上面没有金属它依然可以导通的(看看polycide和salicide制作过程就明白了)。
发表于 2023-11-29 09:31:07 | 显示全部楼层
本帖最后由 843071455 于 2023-11-29 19:46 编辑


壮宇 发表于 2023-11-29 15:45
谢谢前辈的回复解答

前提是电路就是这样设计的,版图是否可以这么画,不考虑阱电位是否独立,我目前所理 ...


你如果了解这类工艺的制作过程你就会明白这样为什么可以了,虽然有源区注入了不同的掺杂会形成pn,但是在有源区的上面还有一层金属硅化物的,它是可以导电的,所以即使上面没有金属它依然可以导通的(看看polycide和salicide制作过程就明白了)。
发表于 2023-11-29 10:11:37 | 显示全部楼层
这DRC能过?
 楼主| 发表于 2023-11-29 10:19:40 | 显示全部楼层


DRC肯定是没问题的,有一种integrate形式的衬底放置方法就是:管子的衬底接触和管子的源端贴着放。如图所示
integrate_body.jpg
发表于 2023-11-29 10:28:09 | 显示全部楼层
新大陆啊
发表于 2023-11-29 11:12:08 | 显示全部楼层
这样就相当于软连接了,因为poly相当于一个横亘在diff中间的墙,你可以在电路上再加一个inv试一试连线关系,按照工艺流程来说确实没错,但是仅仅是有一个这样的电位,没有电流通过。(我的理解)
发表于 2023-11-29 13:32:07 | 显示全部楼层
有源区本质上是去掉非有源区的硅衬底,可以理解为有源区等同于导线,只不过电阻更大。
发表于 2023-11-29 13:32:53 | 显示全部楼层
本来就是要接一起的
发表于 2023-11-29 13:58:58 | 显示全部楼层
这个反相器不能工作。
你的理解是对的,咱们先看上半边,NWELL端有metal接过来,但是它本身是N型且接高电位,这个PN接不具备导通条件,所以没有电流从NWELL流到流到PMOS的Source端;
你看一下你电路的PMOS的symbol,画的非常严谨,那个横着的小箭头,是bulk端,跟source是断开的。它为PMOS提供衬底电位,跟你的PMOS的source端没有关系,要让你的PMOS工作,source端必须有电流过来,NWELL端的过不来,你就要独立的给他接。layout上一根metal穿下来仅仅是因为他们在schematic上的电位恰好相等;
实在是因为电路设计里PMOS的source和bulk端是同电位的情况太多了,才会造成这种混淆。你只要把PMOS想象成一个单管传输门,source接的是一个中间点位,你就知道source和bulk是完全独立的了。
DRC过了是这个图形符合design rule,LVS过了是因为softconnect option没打开,或者干脆是command file写的不好。

下面NMOS也是这么回事儿。
 楼主| 发表于 2023-11-29 15:25:49 | 显示全部楼层


xuhao 发表于 2023-11-29 13:32
有源区本质上是去掉非有源区的硅衬底,可以理解为有源区等同于导线,只不过电阻更大。
...



感谢您的回复
不过按我对“有源区等同于导线”的理解,有个前提是:“在同一注入下”。
不同的注入之间,有源区也可以等同于电阻大的导线吗?

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