想问下大家管子上走线吗

q915958853

李幕白 发表于 2023-7-12 10:00
是的，跨过只为了节省金属层数以及面积，等于省钱。

大佬早上好，学习了~

李幕白

q915958853 发表于 2023-7-12 10:05
大佬早上好，学习了~

互相学习

q915958853

李幕白 发表于 2023-7-12 10:06
互相学习

大佬，你对于M1不能跨器件沟道的说法，有什么见解吗

李幕白

q915958853 发表于 2023-7-12 10:09
大佬，你对于M1不能跨器件沟道的说法，有什么见解吗

follow电路设计的想法，他的设计中要尽量保持高精度，减少寄生，那么就不要跨器件沟道。

q915958853

李幕白 发表于 2023-7-12 10:13
follow电路设计的想法，他的设计中要尽量保持高精度，减少寄生，那么就不要跨器件沟道。
...

对于其他有说工艺上的应力影响，这个影响存在吗

李幕白

q915958853 发表于 2023-7-12 10:15
对于其他有说工艺上的应力影响，这个影响存在吗

2019年鹏飞兄的回复：
你好，
  有同学提到了寄生效应。我们面对寄生效应应该从定性和定量两个方面分析。
  先分两个角度，工艺和信号：
1，工艺上，金属线跨过MOS，MOS影响金属线吗？金属线影响MOS吗？一般来说，不谈可靠性的话，工艺是支持在poly上走金属线的，它们之间有氧化层作隔离。
2，信号上，分噪声和耐压；
    噪声，多晶栅上的噪声会影响到金属线吗？金属线上的噪声会影响到多晶栅吗？噪声耦合和寄生电容大小、信号频率，噪声振幅等因素有关，具体的可以计算，计算所需的相关参数都可以从工艺文档中获得。经验的说法有“不要求匹配的无所谓”，“低频的无所谓”，“匹配器件上的走线要以相同形状跨过匹配器件”“高精度匹配不允许在匹配器件上走线”等。
    耐压，金属线和多晶栅之间的电压差有多大，有超过介质耐压的风险吗？经验的说法有“高压的金属线避免跨过低压器件”等。
    也没说M1就一定不能走啊，只要把它所造成的影响都考虑清楚了，就可以了。我刚翻了两个工艺文档，并没有提到M1走在多晶硅栅会影响可靠性。
  等等……

q915958853

李幕白 发表于 2023-7-12 10:31
2019年鹏飞兄的回复：
你好，
  有同学提到了寄生效应。我们面对寄生效应应该从定性和定量两个方面分析。 ...

学习了~，谢谢指点

891680996

q915958853 发表于 2023-7-12 10:15
对于其他有说工艺上的应力影响，这个影响存在吗

对于高精度匹配的device, 除了寄生的影响外，由于金属的热胀冷缩和器件还有氧化物的不一致，存在热胀冷缩给器件施加应力进而影响器件特性的可能性，而且这种效应还不能被仿真发现，所以为了安全就不允许从这类器件上走线，当然如果有经验指导另说

ljh065216

看模块工艺吧动态的还是静态的，频率高的可能不太想在器件上走线

q915958853

891680996 发表于 2023-7-12 10:50
对于高精度匹配的device, 除了寄生的影响外，由于金属的热胀冷缩和器件还有氧化物的不一致，存在热胀冷缩 ...

学习了~多谢