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[求助] 想问下大家管子上走线吗

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发表于 2023-7-12 09:33:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想问下大家管子上走线吗,有听说不能走线是会把管子击穿???

这类版图会有很多空的区域用来走线,光开diff看着好空,看着管子密度好低。
比较想知道不能在管子上走线是什么原因,我感觉我画过的都是在管子上走的,没啥讲究

发表于 2023-7-12 10:31:25 | 显示全部楼层


q915958853 发表于 2023-7-12 10:15
对于其他有说工艺上的应力影响,这个影响存在吗


2019年鹏飞兄的回复:
你好,
  有同学提到了寄生效应。我们面对寄生效应应该从定性和定量两个方面分析。
  先分两个角度,工艺和信号:
1,工艺上,金属线跨过MOS,MOS影响金属线吗?金属线影响MOS吗?一般来说,不谈可靠性的话,工艺是支持在poly上走金属线的,它们之间有氧化层作隔离。
2,信号上,分噪声和耐压;
    噪声,多晶栅上的噪声会影响到金属线吗?金属线上的噪声会影响到多晶栅吗?噪声耦合和寄生电容大小、信号频率,噪声振幅等因素有关,具体的可以计算,计算所需的相关参数都可以从工艺文档中获得。经验的说法有“不要求匹配的无所谓”,“低频的无所谓”,“匹配器件上的走线要以相同形状跨过匹配器件”“高精度匹配不允许在匹配器件上走线”等。
    耐压,金属线和多晶栅之间的电压差有多大,有超过介质耐压的风险吗?经验的说法有“高压的金属线避免跨过低压器件”等。
    也没说M1就一定不能走啊,只要把它所造成的影响都考虑清楚了,就可以了。我刚翻了两个工艺文档,并没有提到M1走在多晶硅栅会影响可靠性。
  等等……

发表于 2023-7-12 09:35:47 | 显示全部楼层
你说的是走第几层的线~
 楼主| 发表于 2023-7-12 09:36:42 | 显示全部楼层


q915958853 发表于 2023-7-12 09:35
你说的是走第几层的线~


没分,有啥区别吗。
发表于 2023-7-12 09:39:27 | 显示全部楼层
高层金属线是可以走呀,底层金属线一般不跨器件上
发表于 2023-7-12 09:40:02 | 显示全部楼层
能不能走线看公司要求和工艺,我现在做的是smic.18的,基本上都是器件上走线,除了一些敏感部分不走(差分对,电流镜等)
发表于 2023-7-12 09:51:09 | 显示全部楼层


HDZ980104 发表于 2023-7-12 09:40
能不能走线看公司要求和工艺,我现在做的是smic.18的,基本上都是器件上走线,除了一些敏感部分不走(差分 ...


没做过这个工艺,老哥你说的器件上走线是指这个工艺M1也能随意在器件沟道上跨过吗
 楼主| 发表于 2023-7-12 09:56:13 | 显示全部楼层


q915958853 发表于 2023-7-12 09:51
没做过这个工艺,老哥你说的器件上走线是指这个工艺M1也能随意在器件沟道上跨过吗 ...


假设就是m1跨poly,是不是也就引入了不必要的寄生电容,除此之外还有啥影响不
发表于 2023-7-12 10:00:00 | 显示全部楼层


benjude 发表于 2023-7-12 09:56
假设就是m1跨poly,是不是也就引入了不必要的寄生电容,除此之外还有啥影响不
...


因为是底层金属离得近,应该还有工艺上的应力影响吧(等待大佬来确定O.o)
发表于 2023-7-12 10:00:33 | 显示全部楼层


q915958853 发表于 2023-7-12 09:51
没做过这个工艺,老哥你说的器件上走线是指这个工艺M1也能随意在器件沟道上跨过吗 ...


基本上都是M2 M3    M1基本上不在poly上走

发表于 2023-7-12 10:00:54 | 显示全部楼层


q915958853 发表于 2023-7-12 09:51
没做过这个工艺,老哥你说的器件上走线是指这个工艺M1也能随意在器件沟道上跨过吗 ...


是的,跨过只为了节省金属层数以及面积,等于省钱。

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