二阶PTAT电流产生电路

努力学ic的小叶

这篇文章中说这个结构出来的结果是一个PTAT^2的电流，但是为什么我的结果是一个负TC的呢？工作状态都在指定区域的呀？

努力学ic的小叶

还有论文中 这一部分是什么意思？为什么会有1）2）3）这三点要求？

几块钱

N1,N2在弱反型，也就是亚阈值；N3在强反型，饱和区；N4在强反型，线性区
MOS管工作在不同区域温度系数不一样，二阶的论文里这种挺多的

努力学ic的小叶

   

几块钱 发表于 2022-11-4 15:25
N1,N2在弱反型，也就是亚阈值；N3在强反型，饱和区；N4在强反型，线性区
MOS管工作在不同区域温度系数不一 ...

我都是工作在这些区域的呀线性区难道还有在弱反型区的吗？如果是弱反型区不就是亚阈值区了吗？何来线性区一说呢？

几块钱

   

努力学ic的小叶 发表于 2022-11-4 18:23
我都是工作在这些区域的呀线性区难道还有在弱反型区的吗？如果是弱反型区不就是亚阈值区了吗？何来线性区 ...

我可能没说明白这个的原理就是不同温度系数相叠加得到期望的温度曲线
一般的带隙就是利用了BJT的VBE和deltaVBE，对于MOS管也是一样，MOS管工作在不同状态，漏电流的温度系数就不一样，按比例进行叠加就可以得到，这些是可以手工推导出来的（可以去搜一些MOS管做带隙的论文，里面有讲）
然后，关于这个MOS管状态的问题，我是有看到过有论文出现过亚阈值区中出现过亚阈饱和和亚阈线性，主要是区分亚阈时候VDS的影响

努力学ic的小叶

   

几块钱 发表于 2022-11-9 16:19
我可能没说明白这个的原理就是不同温度系数相叠加得到期望的温度曲线
一般的带隙就是利用了BJT的VBE和del ...

嗯嗯！谢谢大佬回复！叠加的原理我是可以理解，我就是不明白我的电路都已经按照他的要求实现了，为什么温度曲线却差距这么大？
亚阈饱和区和亚阈线性区 我还真的没有深究过，也不知道这两个有什么区别？电流公式用的也还是一样的吧？

努力学ic的小叶

   

几块钱 发表于 2022-11-9 16:19
我可能没说明白这个的原理就是不同温度系数相叠加得到期望的温度曲线
一般的带隙就是利用了BJT的VBE和del ...

还有论文中的那1）2）3）点要求是为了克服μ电子迁移率的温度特性而提出的吗？