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lijie5992373 发表于 2019-10-8 10:02 IR drop和EM最好在TT做， 这俩和器件的corner 没关系，device corner只影响IC的速度。 ...
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wlmwxm 发表于 2021-4-13 16:50 我们也是在 ff 125 下，28nm leackage 影响很大的
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发表于 2022-7-14 14:43:29
