28nm 做IR drop 和EM 都在什么corner 下

厚娇07 · 发表于 2019-9-28 15:26:21

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想问一下，通常28nm 做IR drop 和EM 都在什么corner 下？十分感谢

不识君 · 发表于 2019-9-29 10:58:51

路过，顶一下

lijie5992373 · 发表于 2019-10-8 10:02:46

IR drop和EM最好在TT做，这俩和器件的corner 没关系，device corner只影响IC的速度。

厚娇07 · 发表于 2019-10-9 10:47:33

lijie5992373 发表于 2019-10-8 10:02
IR drop和EM最好在TT做，这俩和器件的corner 没关系，device corner只影响IC的速度。 ...

我们现在做ff 0.99 125 的，说是最坏的情况，你们通常都做TT的？是商用吗？

厚娇07 · 发表于 2019-10-21 11:08:22

lijie5992373 发表于 2019-10-8 10:02
IR drop和EM最好在TT做，这俩和器件的corner 没关系，device corner只影响IC的速度。 ...

您好，想问一下redhawk可以设置仿真的年限吗？

小微电路 · 发表于 2021-3-30 23:03:30

高手指点一下

wrxs · 发表于 2021-3-31 10:49:26

没有signoff 文档吗？

一枚小兵 · 发表于 2021-3-31 17:42:36

我用的TT，比较care leakage的话或者汽车电子会跑ff150

godunlove · 发表于 2021-4-13 00:07:52

看需要的商用年限。ff 125 好像对标的是十年，如果只一两年用tt 25 没啥问题

wlmwxm · 发表于 2021-4-13 16:50:38

我们也是在 ff 125 下，28nm leackage 影响很大的

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