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[求助] 65nm工艺库安装取舍

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发表于 2019-6-25 15:36:57 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 小女子为啥学IC 于 2019-6-25 15:38 编辑

65nm工艺提供不同的电感和不同的金属层数,安装的时候可选择的具体如下:



  1. Available metal options are:
  2.    1 - 1p9m_6X2Z0U_ALRDL
  3.    2 - 1p9m_6X1Z1U_ALRDL *ind_1z1u  *Star_RC  *Cal_RC  *QRC
  4.    3 - 1p8m_6X1Z0U_ALRDL *ind_1z
  5.    4 - 1p8m_6X0Z1U_ALRDL *ind_1u
  6.    5 - 1p8m_5X2Z0U_ALRDL
  7.    6 - 1p8m_5X1Z1U_ALRDL *ind_1z1u
  8.    7 - 1p7m_5X1Z0U_ALRDL *ind_1z
  9.    8 - 1p7m_5X0Z1U_ALRDL *ind_1u
  10.    9 - 1p7m_4X2Z0U_ALRDL            *Star_RC  *Cal_RC  *QRC
  11.    10 - 1p7m_4X1Z1U_ALRDL *ind_1z1u
  12.    11 - 1p6m_4X1Z0U_ALRDL *ind_1z   *Star_RC  *Cal_RC  *QRC
  13.    12 - 1p6m_4X0Z1U_ALRDL *ind_1u
  14.    13 - 1p6m_3X2Z0U_ALRDL
  15.    14 - 1p6m_3X1Z1U_ALRDL *ind_1z1u
  16.    15 - 1p5m_3X1Z0U_ALRDL *ind_1z

  17.    *ind_1z1u : Support inductors in RF Process:
  18.         "spiral_std_mu_z", "spiral_sym_mu_z", and "spiral_sym_ct_mu_z"
  19.    *ind_1u   : Support inductors in RF Process:
  20.         "spiral_std_mu_a", "spiral_sym_mu_a", and "spiral_sym_ct_mu_a"
  21.    *ind_1z   : Support inductors in RF Process:
  22.         "spiral_std_mza_a", "spiral_sym_mza_a", "spiral_sym_ct_mza_a"

  23.   *For more information about inductor support, please refer to PDK_doc/ReleaseNote.txt


复制代码
我查阅了资料,资料里面写:
spiral_std_mu_a : Standard type UTM inductor. (Loop on UTM layer, cross using AL-RDL)
spiral_std_mu_z : Standard type UTM inductor (Loop on UTM layer, cross using metal Z)
spiral_std_mza_a : Standard type logic inductor. (Loop on metal Z and AL-RDL layer, cross using AL-RDL)
spiral_sym_ct_mu_a : Symmetry type UTM inductor. (Loop on UTM layer, cross using AL-RDL)
spiral_sym_ct_mu_z : Symmetry type with central tap UTM inductor. (Loop on UTM layer, cross using metal Z)
spiral_sym_ct_mza_a : Symmetry type with central tap logic inductor. (Loop on metal Z and AL-RDL layer, cross using AL-RDL)
spiral_sym_mu_a : Symmetry type with central tap UTM inductor. (Loop on UTM layer, cross using AL-RDL)
spiral_sym_mu_z : Symmetry type UTM inductor. (Loop on UTM layer, cross using metal Z)
spiral_sym_mza_a : Symmetry type logic inductor. (Loop on metal Z and AL-RDL layer, cross using AL-RDL)
The mu_z type inductors are only supported in top 2 thick with UTM metal options including 1P6M-3X1Z1U, 1P7M-4X1Z1U, 1P8M-5X1Z1U,and 1P9M-6X1Z1U.
The mza_a type inductors are only supported in top 1 thick without UTM metal options including 1P6M-4X1Z0U, 1P7M-5X1Z0U, 1P8M-6X1Z0U.
虽然写的很清楚,但是依然不知道这些代表的含义是啥。
比如说我想要设计一个K波段的LNA,那么现在就有两个问题:
第一:我应该选择多少层的金属比较合适?
第二:对于电感来说我应该选择The mu_z还是应该选择The mza_a呢?
有大神可以给解释下嘛?

 楼主| 发表于 2019-6-25 15:48:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 小女子为啥学IC 于 2019-6-25 15:52 编辑

还有一个问题:
对于晶体管:pmos_rf_25od33_nw_5t 解释为:IO 2.5V over-drive 3.3V Standard VT RF PMOS in N-well(5T)
这个解释中5T是什么意思呢
还有over-drive看到一种解释是: 2.5V的管子,可以在2.5V升3.3V时候正常工作这种解释正确吗?如果正确的话,晶体管pmos_rf_25ud18_5t : IO 2.5V under-drive 1.8V Standard VT RF PMOS in DNW(5T)
2.5V的管子,可以在2.5V降1.8V时候可以正常工作。请问这样理解正确吗?

发表于 2019-6-25 17:28:40 | 显示全部楼层
得看流片的需求吧?
 楼主| 发表于 2019-6-25 18:36:24 | 显示全部楼层


STSnow 发表于 2019-6-25 17:28
得看流片的需求吧?


大概率不会流片,,,所以如果只从性能方面考虑的话,我该怎么选择呢?
发表于 2019-6-26 10:09:36 | 显示全部楼层
选电感厚的,即顶层金属多的
发表于 2019-6-26 10:10:44 | 显示全部楼层


小女子为啥学IC 发表于 2019-6-25 15:48
还有一个问题:
对于晶体管:pmos_rf_25od33_nw_5t 解释为:IO 2.5V over-drive 3.3V Standard VT RF PMOS  ...


这个得查看安装后的工艺说明doc
 楼主| 发表于 2019-6-26 10:49:59 | 显示全部楼层


STSnow 发表于 2019-6-26 10:09
选电感厚的,即顶层金属多的


好的,我再研究下,谢谢
发表于 2019-6-26 15:49:45 | 显示全部楼层
5T就是该器件模型是5个端口,T-Terminal
那个OD与UD的理解是对的。
电压高,速度不会快,电压低,速度可以快点
 楼主| 发表于 2019-6-26 15:52:21 | 显示全部楼层


demon0821 发表于 2019-6-26 15:49
5T就是该器件模型是5个端口,T-Terminal
那个OD与UD的理解是对的。
电压高,速度不会快,电压低,速度可以 ...


好的,谢谢
发表于 2019-10-28 17:06:25 来自手机 | 显示全部楼层
可以教一下怎么导入工艺库吗,我和你一样搞完了install之后就不知道咋整了
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