芯片内部RC振荡器设计

nowstudio

学习中谢谢

luyan

原帖由 zyp96 于 2007-10-13 15:06 发表

                               
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我需要设计一个455KHz或220KHz或150KHz或110KHz的震荡器在芯片内部，精度有+/-10%的范围内就可以了，不知道该选用什么样的架构最好，当然希望是越简单越好了，希望有做过的人给个参考的，领导给我MPW的机会只有2次！

这个频率的片内振荡，我看过一篇这样的论文，发给你看看了，也许可以帮帮你了

tgaayd

环形振荡器应该更难实现吧

bkat

一般的环形振荡器是比较难实现+-%10的精度的

要想把精度提上去那你必须要对温度 corner 进行补偿

不过这样的代价就是面积和功耗都上去了。

god_1012

用上TRIM，无论哪种，都比较容易做到的吧！

gao-995

正在做一个晶体振荡器，学习中

prof3

Based on your case,

(1) Definetely, NO need Trimming
(2) Definetely, NO need PLL, Crystal
(3) Definetely, Impossible to meet +/-10% PVT corner using general RC ring.

here is the only solution without any external component, crystal, PLL, or any trimming:
(1) Need VBG, +/-5% (3-sigma) is never an issue, this will make V and T insensitive
(2) Design a delay Cell using R and C, in which R variation and C variation is invserly compensated. This will make P insensitive.

In summary, you can make it using above technique for +/-10% accuracy under PVT(6-sigma). And actually, this method requires a very very small overhead.
I have ever done a similar on-chip oscillator which is +/-5% under PVT.

hym4063

原帖由 prof3 于 2009-3-9 02:24 发表

                               
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Based on your case,

(1) Definetely, NO need Trimming
(2) Definetely, NO need PLL, Crystal
(3) Definetely, Impossible to meet +/-10% PVT corner using general RC ring.

here is the only solution  ...

how to make it P insensitive? the corner is not under control...

prof3

Think about R and C, if R ~ 1/gm , C ~ WL*Cox,  and Vthreshold  ~ Vbg. Then RC will be partly compensated to make RC variation greatly reduced.

ipmsn5

最好利用压垮振荡器  VCO，利用的结构不必要很复杂，bandgap＋Ring Oscillator,就好了，这样做一个与温度无关或者带温度补偿的电流源，用这个电流源驱动ROSC就好了，一般VBG100uAj就好，ROSC100－200uA，这样做出来的VCO频率大约在10Mhz－－30Mhz，然后你使劲往下除就好了，

但是这样只能基本保证在10％以内，所以建议你做3－5bit的register用来调整VBG的输出电流，这样应对仿真上的误差。

我以前做的25Mhz Ring  OSC， 一般是20－－27Mhz之间。不能保证都在25＋－10％。