芯片内部RC振荡器设计

phenix-jf · 发表于 2014-10-17 15:45:49

最后是个什么结果啊？没下文了吗

漂泊de枫格 · 发表于 2017-3-27 16:13:35

回复 12# luyan
感谢分享！

tu_yjq123 · 发表于 2017-3-28 00:01:49

多谢。。。

lynker · 发表于 2017-3-28 11:51:49

Think about R and C, if R ~ 1/gm , C ~ WL*Cox, and Vthreshold ~ Vbg. Then RC will be partly compen ...
prof3 发表于 2009-3-10 09:54

登录/注册后可看大图

prof3的设计方法确实可以做到，几年来我们沿着这个设计思路，将频率1MHz以下OSC的初始精度推进到了±5~10%这个区间，这是个让人感到惊喜的idea。

cirand · 发表于 2017-3-28 14:37:28

回复 84# lynker

线性区的电阻表达式是R=1/(u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)), 它和电容补偿后，还剩有电子迁移率会随温度，工艺变化，那么这个变化量有多大呢？还有Vgs-Vth怎么保持恒定的？

lynker · 发表于 2017-3-29 09:41:19

回复 85# cirand

Mutual Compensation of Mobility and Threshold
Voltage Temperature Effects with Applications in
CMOS Circuits

TianBian365 · 发表于 2017-3-30 07:57:52

回复 2# refinder

Ring osc PVT 1X ~2X variation. reject.

xd_HR · 发表于 2017-3-30 13:57:28

本帖最后由 xd_HR 于 2017-3-30 14:04 编辑

回复 84# lynker

犇

andyzpa · 发表于 2018-10-25 17:11:33

学习中

hbgonghaibo · 发表于 2018-11-1 11:10:41

建议采用张弛振荡器

[求助] 芯片内部RC振荡器设计