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柯明道-mixed-voltage IO buffers with low voltage thin-oxide CMOS

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发表于 2007-9-6 17:01:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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論文名稱Overview and design of mixed-voltage I/O buffers with low-voltage thin-oxide CMOS transistors


期刊Ming-Dou Ker, S.-L. Chen, and C.-S. Tsai, “Overview and design of mixed-voltage I/O buffers with low-voltage thin-oxide CMOS transistors,” IEEE Trans. on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol. 53, no. 9, pp. 1934-1945, Sep. 2006.
摘要        Overview on the prior designs of the mixed-voltage I/O buffers is provided in this work. A new 2.5/5-V mixed-voltage I/O buffer realized with only thin gate-oxide devices is proposed. The new proposed mixed-voltage I/O buffer with simpler dynamic n-well bias circuit and gate-tracking circuit can prevent the undesired leakage current paths and the gate-oxide reliability problem, which occur in the conventional CMOS I/O buffer. The new mixed-voltage I/O buffer has been fabricated and verified in a 0.25- m CMOS process to serve 2.5/5-V I/O interface. Besides, another 2.5/5-V mixed-voltage I/O buffer without the subthreshold leakage problem for high-speed applications is also presented in this work. The speed, power consumption, area, and noise among these mixed-voltage I/O buffers are also compared and discussed. The new proposed mixed-voltage I/O buffers can be easily scaled toward 0.18-um (or below) CMOS processes to serve other mixed-voltage I/O interfaces, such as 1.8/3.3-V interface.
關鍵字Gate-oxide reliability, gate-tracking circuit, interface, mixed-voltage I/O buffer.

556_Ker_SLChen_CSTsai_TCAS1_Sep_2006.pdf

1.37 MB, 下载次数: 262 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2007-9-7 00:25:38 | 显示全部楼层
xiexie  louzhu!!!
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发表于 2007-9-7 00:35:54 | 显示全部楼层
xiexie  louzhu!!!
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发表于 2007-9-7 02:42:11 | 显示全部楼层
谢谢!
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发表于 2008-6-18 09:21:54 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2008-7-30 18:47:41 | 显示全部楼层
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发表于 2008-8-9 13:05:16 | 显示全部楼层
Thanks
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发表于 2008-8-9 15:57:12 | 显示全部楼层
谢谢楼主
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发表于 2008-9-29 11:29:43 | 显示全部楼层
谢谢楼主的帮助
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发表于 2009-3-6 12:55:08 | 显示全部楼层
不错,很经典的文章。有没有什么介绍FPGA I/O buffer的可以推荐?
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