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[原创] LDD导致ESD性能下降

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发表于 2014-11-12 09:44:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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看到台湾柯明道教授写的,先进制程下LDD的尖端放电导致ESD性能下降,具体过程如何,大家怎么理解的?
高手们解析一下 。我的理解是,这个尖端放电应该是发生在snapback之前,如果snapback先发生了就不会毁坏,ESD性能也不下降。大家有没有碰过这样的案例?
欢迎大家来讨论一下!
发表于 2014-11-12 10:18:58 | 显示全部楼层
顶一下~~~
发表于 2015-1-27 11:20:41 | 显示全部楼层
是的,现在的管子越来越小,由于采用了源区硅化了的工艺,电阻比较小,ESD容易通过LDD的尖端进行放电
发表于 2015-3-11 17:42:40 | 显示全部楼层
柯大侠这个资料有点久啦.
理论上有这种可能, 但目前实际芯片上不明显.
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