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[求助] 抽库Weak Drive States

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发表于 2016-5-20 13:51:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近用siliconsmart抽一个定制芯片0.9v下的standcell,用的tsmc180的工艺,之前抽3v的没有问题,但是抽0.9v的时候delay抽不出来,由于cell比较多,不可能一个一个改index1和index2的值,看了SiliconSmart user guide,上面有一个Weak Drive States,要在config.tcl中设置trailing_delay,有没有大神用过
发表于 2016-5-27 19:36:59 | 显示全部楼层
回复 1# netboy26
低电压抽库,我遇到过这两个问题:一、drive mode 为 active 时(输入端加buff),较小的index1(transition time) 不能满足要求。此时可将drive mode 设为 pwl 或 custom, 在configure.tcl文件下设置(pintype模块set drive_model pwl, pwl 是默认的模式,但没active模式准确),也可以增大index1, 可以在configture.tcl(也是在pintype块下) 或 inst 文件下修改。二、低电压下delay会变得特别大,如果仿真时间不够长(输出端都没反转到50%)就结束了,这是就会报错; 这时可在configure.tcl的pintype模块下设置trailing_delay参数, 如 set trailing_delay 5e-6, 时间单位是秒。至于设多大,你可以用几个们仿真一下,估计输出反转的时间。还有其他一些关于仿真时间的参数如power_period, initial_delay,可以查看siliconsmart文档。
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