SCR ESD

lxy_h

组成SCR的四层结构依序为P+ diffusion、N-well、P-substrate、N+ diffusion。这个四结构也就是导致CMOS Latch up(锁住效应)问题的相同结构。我现在用的工艺库，并没有SCR器件，ESD防护一般都是使用GCMOS/GGMOS的形式，为了提高ESD防护能力，我可以利用器件间的闩锁现象形成的SCR,来做ESD防护吗？

还是我可以直接做出上述结构的版图，就可以用做SCR吗？然后再用TLP测试它的IV特性？

albertyin

SCR当然可以用来做ESD防护, 不过电源/大驱动的IO建议不要使用, 应用环境中电压过冲较大的建议不要使用.
做出版本测试TLP是一个好的方法, 可以多做一些图形, 以确定可用的方案.

zengjie

个人建议最好新做testkey分析下，不要直接用，容易出问题，如果楼主不是专业做ESD的话，最好请咨询下公司内部的相关人员。