设为首页收藏本站
在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

手机号码，快捷登录

手机号码，快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
创芯云服务  : 创芯大讲堂  | 创芯人才网 | 数字IC职业培训  EETOP诚邀线上IC培训讲师!
搜帖子
EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › 硬件设计论坛 › 总线技术与高速接口 › 交流讨论 › write leveing操作 DDR
EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦！
返回列表 发新帖
查看: 1844|回复: 1

[求助] write leveing操作 DDR

[复制链接]
dyytx
发表于 2015-7-27 20:40:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册

x
一个内存条上有多个DRAM芯片，如果采用拖补结构，那时钟到达每个芯片的延迟是不一样的，在DQS上升沿采CK的值，那每个芯片采到的值是不一样的吧？
write

相关帖子
回复

举报

dyytx
 楼主| 发表于 2015-7-27 21:02:23 | 显示全部楼层
DQS信号也是采用拖补结构吗
EETOP创芯人才网简历投递入口
回复 支持 反对

举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-27 14:31 , Processed in 0.017159 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表