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查看: 1832|回复: 1

[求助] write leveing操作 DDR

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dyytx
发表于 2015-7-27 20:40:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一个内存条上有多个DRAM芯片，如果采用拖补结构，那时钟到达每个芯片的延迟是不一样的，在DQS上升沿采CK的值，那每个芯片采到的值是不一样的吧？
write

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dyytx
 楼主| 发表于 2015-7-27 21:02:23 | 显示全部楼层
DQS信号也是采用拖补结构吗
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