总有人喜欢用多子少子解释guard ring

hszgl · 发表于 2014-8-29 12:57:35

本帖最后由 hszgl 于 2014-8-29 12:58 编辑

顶楼主。

各位坚持“多子少子”理论的同仁，欢迎在pcb级guardring上发展此理论，呵呵。

hszgl · 发表于 2014-8-29 13:03:27

回复 40# dinggo

这么说吧，按照“多子少子”解释，guardring的PN结区就是势阱了，必然可以有效降低热噪声和1/f噪声水平，请问实际中guardring是否起到了这个效果？

ygyg100 · 发表于 2014-8-29 14:07:20

回复 42# hszgl

guardring是用来降低器件与器件之间或区域与区域之间的干扰的，就是防止这个地方的噪声影响另一个地方。热噪声和闪烁噪声可以认为是无处不在的，local的，guardring对这两个噪声是无能为力的吧？没有仔细看过关于这两种噪声的理论，只是我的感觉。

hszgl · 发表于 2014-8-29 14:59:33

回复 43# ygyg100

你深入了解一下吧。guardring实际是利用了PN结的电容，正电荷多的地方自然负电荷会被很快吸附掉。多子少子只是在半导体这个特殊场合用于指代正负电荷。

dinggo · 发表于 2014-8-30 10:41:14

回复 42# hszgl

热噪声和闪烁噪声是器件本身噪声，参照拉扎维《模拟CMOS集成电流设计》第七章，不在我们的讨论范围内。我们谈论的噪声是背景噪声

dinggo · 发表于 2014-8-30 11:10:40

回复 41# hszgl

pcb级上，你的理论绝对正确。SOI 工艺上你的理论也是成立的。但在反偏二极管隔离的半导体集成电路工艺上（就是我们常用的集成电路工艺）你的理论则无法成立了，光相同的NWELL隔离，接电位与不接电位在相同的距离接收到的电流差异就是你的理论无法解释的硬伤，在实际产品的宏观结果就是在相同的NWELL隔离接电位与不接电位变现出来的latch-up结果差异，ESD DEVICE的NWELL隔离在NWELL与NDIFF不同距离下表现出来的ESD结果则再次说明了IC环境下多子少子理论的重要性（参考柯明道的paper）。

dinggo · 发表于 2014-8-30 11:13:38

回复 46# dinggo

我这里面提到的建模结构与测试结果都是在我40楼提到的资料里能够找到的，结果还是被忽略了。

dinggo · 发表于 2014-8-30 11:17:07

本帖最后由 dinggo 于 2014-8-30 11:18 编辑

回复 41# hszgl

pcb上可没有多子少子，都是电子，金半接触我想你应该是知道的吧，就不多说了。

hszgl · 发表于 2014-8-30 11:33:02

回复 45# dinggo

器件本身噪声，没错。你会强调这一点说明没看懂我说“势阱”是什么意思。

hszgl · 发表于 2014-8-30 11:37:27

回复 46# dinggo

接电位和不接电位电场一样么？电场不一样电流还一样那是你突破自然规律了。你确定你明白自己在说什么？

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