总有人喜欢用多子少子解释guard ring

memcad · 发表于 2015-2-26 21:44:42

回复 1# fuyibin

nwell深，可以较好隔离。guard ring主要防latch-up，防噪声主要靠拉开距离。

semico_ljj · 发表于 2015-3-13 11:20:15

tedious · 发表于 2015-3-15 12:25:23

ding ding

camusaaron · 发表于 2015-3-26 09:50:18

楼主跟我差不多，质疑的不要以为有什么破书就了不起。

不过楼主是不是忽略了个东西，p-sub下面是什么。。。。

leo2leo · 发表于 2015-5-11 15:17:26

啊。看完了。我正看的过瘾呢。不是每个做版图的都很清楚每一个概念。不是每个做电路的都很清楚每一个概念。不是每一个搞器件的都很清楚每一个概念。我也觉得的什么时候这个器件物理啊，版图啊什么的。有没有办法在哪一天搞的傻瓜化一点。像傻瓜相机一样。拿着就能拍。这样多好。

xiaobaiyangESD · 发表于 2015-5-18 11:37:43

多子少子说法是本质的物理的解释，低阻通路，噪声电流的说法是抽象到电路层次。大同小异，只是站的角度和高度不一样，要理解本质，还是要懂物理》

pennyxm · 发表于 2015-12-2 22:30:07

正所谓理不辨不明吗！
其实能举几个具体的例子来分析，不是更实用，更能说明问题！

yiluqing · 发表于 2016-4-13 15:16:10

回复 1# fuyibin

以前确实没想过这个问题，确实只是记得nmos外围nwell环吸收少子电子，pmos外围p+环吸收少子空穴。看到你的帖子才猛然想起这个保护环的实际效果与画法，感觉有点矛盾呢，以下是个人的感性见解，见笑之处还请见谅：

1、电路中，反偏二极管确实只能通过极小的电流，由此推得P衬底上的NWELL保护环不会吸走很大的电流，也就是不会吸收很大的衬底噪声（电子）。

2、根据NPN工作原理，在BE结正偏BC结反偏的情况下BC反偏PN结是可以收集较大的电子电流的。

3、呵呵，这两个好像有点矛盾啊！

4、不过，再想想，反偏保护环应该是可以流过大电流的吧，要不为什么有时候还会强调保护环的低阻特性，因为若是高阻电流稍大的话就有可能使PN结正偏了，芯片岂不是很危险了。

hadeheng · 发表于 2020-4-24 12:12:06

get了，楼主再来些其他主题的干货。

zhao!!! · 发表于 2020-8-17 17:22:45

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