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[求助] 带隙基准问题 新手求助,求大神指导一下

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发表于 2014-5-15 22:00:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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电路与拉扎维书上的经典带隙基准(11.15)相似,只是没有采用两个BJT串联。  调节电阻的大小,要么输出在1.25左右时,曲线不符合(负温度系数偏大),要么曲线吻合,输出电压高于1.3.。。。弄了好久了,一直不得其法,求大神指导,不胜感激
发表于 2014-5-15 23:17:33 | 显示全部楼层
上图吧
发表于 2014-5-16 08:24:03 | 显示全部楼层
The bandgap voltage is not always 1.25V.

The target of bandgap is to get a temp. independent voltage.

If your bandgap voltage is 1.3V, you can use a resistor divider to get 1.25V.

mpig
 楼主| 发表于 2014-5-17 15:55:49 | 显示全部楼层
回复 2# jiahe8726012
@BLFR1ANH[6V41YN@9$OJ5D.jpg
发表于 2014-5-19 17:52:29 | 显示全部楼层




Correct…… silicon bandgap energy is 1.12eV,and a bandgap energy referenced BGR is 1.12V+a*Vpt (refer to razavi book), where a is process related. Just use the design when you get the best TC.
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